IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

656

450

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

900

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175oc

2054

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복적 피크 역전압나이

1200

v

if

다이오드 연속 정방향 Cu임대료

450

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

900

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=450A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

ic=450A,VGE=15V, tj=125oc

1.95

ic=450A,VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=18.0엄마,vc=vGE, tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

1.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항

0.7

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

46.6

NF

cres

역전환

용량

1.31

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

3.50

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg=1.5Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

328

NS

tr

상승 시간

76

NS

td(off)

그림 지연 시간

539

NS

tf

하강 시간

108

NS

e에

켜 전환

손실

19.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

46.6

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg=1.5Ω,

vGE=±15V, tj=125oc

376

NS

tr

상승 시간

86

NS

td(off)

그림 지연 시간

595

NS

tf

하강 시간

214

NS

e에

켜 전환

손실

36.3

mj

e끄다

그림 전환

손실

53.5

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg=1.5Ω,

vGE=±15V, tj=150oc

380

NS

tr

상승 시간

89

NS

td(off)

그림 지연 시간

608

NS

tf

하강 시간

232

NS

e에

켜 전환

손실

41.7

mj

e끄다

그림 전환

손실

55.5

mj

isc

SC 데이터

tp≤10μs,vGE=15V,

tj=150oC,Vcc=800V, vCEM≤1200V

1800

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=450A,VGE=0V,Tj=25oc

1.90

2.35

v

if=450A,VGE=0V,Tj=125oc

2.00

if=450A,VGE=0V,Tj=150oc

2.05

qr

회복 전하

vcc=600V,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

55.2

μC

irm

피크 역전

회복 전류

518

a

erec

역회복 에너지

26.0

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=125oc

106

μC

irm

피크 역전

회복 전류

633

a

erec

역회복 에너지

47.5

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=150oc

121

μC

irm

피크 역전

회복 전류

661

a

erec

역회복 에너지

53.9

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

rthJC

부문별 (IGB당)T)

커스 (D) 에 대한 연결오드)

0.073

0.128

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe)r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당)오두엘)

0.031

0.055

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게 의 모듈

300

g