IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±30

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc=95oc

685

450

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp= 1밀리초

900

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175oc

2206

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

450

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp= 1밀리초

900

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=450A,VGE= 15V,tj=25oc

1.70

2.15

v

ic=450A,VGE= 15V,tj=125oc

1.95

ic=450A,VGE= 15V,tj=150oc

2.00

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 18.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.0

5.6

6.5

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.7

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

39.0

NF

cres

역전환

용량

1.26

NF

qg

게이트 요금

vGE= 15v

2.46

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg= 1.5Ω

vGE=±15V,tj=25oc

360

NS

tr

상승 시간

140

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

550

NS

tf

하강 시간

146

NS

e에

켜 전환

손실

11.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

48.0

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg= 1.5Ω

vGE=±15V, tj= 125oc

374

NS

tr

상승 시간

147

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

623

NS

tf

하강 시간

178

NS

e에

켜 전환

손실

17.9

mj

e끄다

그림 전환

손실

64.5

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=450A,- 그래rg= 1.5Ω

vGE=±15V, tj= 150oc

381

NS

tr

상승 시간

152

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

636

NS

tf

하강 시간

184

NS

e에

켜 전환

손실

19.6

mj

e끄다

그림 전환

손실

69.0

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE= 15V,

tj=150oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V

1800

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=450A,VGE=0V,Tj=25oc

1.72

2.12

v

if=450A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.73

if=450A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.74

qr

회복 전하

vcc=600V,If=450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

40.3

μC

irm

피크 역전

회복 전류

258

a

erec

역회복에너지

19.0

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE=- 15V, tj= 125oc

71.9

μC

irm

피크 역전

회복 전류

338

a

erec

역회복에너지

39.1

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE=- 15V, tj= 150oc

79.3

μC

irm

피크 역전

회복 전류

352

a

erec

역회복에너지

41.8

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

rθJC

부문별 (IGB당)T)

부대와 부대 (D당)요오드)

0.068

0.117

K/W

rθcs

케이스-싱크 (IGBT당)

케이스-싱크 (다이오드당)

0.111

0.190

K/W

rθcs

케이스-싱크

0.035

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게     모듈

300

g