홈페이지 / 제품 / igbt 모듈 / IGBT 모듈 1700V
IGBT 모듈，1700V 450A
특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
igt
상징 | 설명 | 가치 | 단위 |
VCES | 컬렉터-이미터 전압 | 1700 | v |
VGES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | v |
ic | 컬렉터 전류 @ TC=25도C @ TC=95도C | 683 450 | a |
ICM | 펄스 컬렉터 전류 tp=1ms | 900 | a |
PD | 최대 전력 소산 T =175도C | 2678 | w |
다이오드
상징 | 설명 | 가치 | 단위 |
vRRM | 반복 피크 역전압 | 1700 | v |
if | 다이오드 연속 전면 커임대료 | 450 | a |
ifm | 다이오드 최대 전류 tp=1ms | 900 | a |
모듈
상징 | 설명 | 가치 | 단위 |
tjmax | 최대 분기 온도 | 175 | oc |
tjop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | oc |
tSTG | 저장 온도범위 | -40에서 +125 | oc |
viso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 | 4000 | v |
igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
VCE(sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | IC=450A,VGE=15V, Tj=25도C |
| 2.00 | 2.45 |
v |
IC=450A,VGE=15V, Tj=125도C |
| 2.40 |
| |||
IC=450A,VGE=15V, Tj=150도C |
| 2.50 |
| |||
VGE (th) | 포트-에미터 임계 전압 | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25도C | 5.4 | 6.1 | 7.4 | v |
ICES | 컬렉터 차단 전류 | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25도C |
|
| 5.0 | 엄마 |
IGES | 게이트-에미터 누출 전류 | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
| 400 | 아 |
RGint | 내부 게이트 저항 |
|
| 0.3 |
| 오 |
시스 | 입력 용량 | VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V |
| 30.0 |
| NF |
크레스 | 역전환 용량 |
| 1.08 |
| NF | |
본부 | 게이트 요금 | VGE=-15…+15V |
| 2.70 |
| μC |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25도C |
| 504 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 183 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 616 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 188 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 126 |
| mj | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 89 |
| mj | |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125도C |
| 506 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 194 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 704 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 352 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 162 |
| mj | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 124 |
| mj | |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150도C |
| 510 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 198 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 727 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 429 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 174 |
| mj | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 132 |
| mj | |
이스 |
SC 데이터 | tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150도C,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
1440 |
|
a |
다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
vf | 다이오드 앞 전압 | if=450A,VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.87 | 2.32 |
v |
if=450A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 2.00 |
| |||
if=450A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 2.05 |
| |||
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,VGE=-15V tj=25oc |
| 107 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 519 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 75 |
| mj | |
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,VGE=-15V tj= 125oc |
| 159 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 597 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 113 |
| mj | |
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,VGE=-15V tj= 150oc |
| 170 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 611 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 119 |
| mj |
모듈 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
난c | 방랑 인덕턴스 |
|
| 20 | NH |
rCC+EE | 모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
| 0.35 |
| mΩ |
rthJC | 부문별 (IGB당)T) 부대와 부대 (D당)요오드) |
|
| 0.056 0.112 | K/W |
rthCH | 케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (per 다이오드) 케이스-히트싱크 (per모듈) |
| 0.105 0.210 0.035 |
| K/W |
m | 단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | n.m |
g | 무게 의 모듈 |
| 300 |
| g |
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.
EN
