IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

단위

VCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

VGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

컬렉터 전류 @ TC=25도C

@ TC=70도C

549

400

a

ICM

펄스 컬렉터 전류 tp=1ms

800

a

PD

최대 전력 소산 @ T =150도C

2659

w

상징

설명

가치

단위

VRRM

반복 피크 역전압

1200

v

만약

다이오드 연속 전류

400

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

800

a

상징

설명

가치

단위

Tjmax

최대 분기 온도

150

oC

Tjop

작동점 온도

-40에서 +125

oC

TSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

oC

비소

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=400A,VGE=15V, tj=25oc

2.90

3.35

v

ic=400A,VGE=15V, tj=125oc

3.60

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 16.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

4.5

5.5

6.5

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.6

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

26.0

NF

cres

역전환

용량

1.70

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

4.2

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.2Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

76

NS

tr

상승 시간

57

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

529

NS

tf

하강 시간

73

NS

e에

켜 전환

손실

5.2

mj

e끄다

그림 전환

손실

23.2

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,rg=2.2Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

81

NS

tr

상승 시간

62

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

567

NS

tf

하강 시간

81

NS

e에

켜 전환

손실

9.9

mj

e끄다

그림 전환

손실

31.7

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=125oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V

2800

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.96

2.31

v

if=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.98

qr

회복 전하

vr=600V,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15vtj=25oc

24.9

μC

irm

피크 역전

회복 전류

317

a

erec

역회복에너지

16.0

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15v tj= 125oc

35.5

μC

irm

피크 역전

회복 전류

391

a

erec

역회복에너지

21.4

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드 레시스타칩에 터미널

0.18

mΩ

rthJC

부문별 (IGB당)T)

커스 (D) 에 대한 연결오드)

0.047

0.100

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe)r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당)오두엘)

0.015

0.031

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게 의 모듈

300

g