IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

630

400

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

800

a

pd

최대 전력 분산 @ T =175oc

2083

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

400

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

800

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=400A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

ic=400A,VGE=15V, tj=125oc

1.95

ic=400A,VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 10.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

1.9

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

41.4

NF

cres

역전환

용량

1.16

NF

qg

게이트 요금

vGE=15V

3.11

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

257

NS

tr

상승 시간

96

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

628

NS

tf

하강 시간

103

NS

e에

켜 전환

손실

23.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

34.0

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

268

NS

tr

상승 시간

107

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

659

NS

tf

하강 시간

144

NS

e에

켜 전환

손실

35.3

mj

e끄다

그림 전환

손실

51.5

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

278

NS

tr

상승 시간

118

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

680

NS

tf

하강 시간

155

NS

e에

켜 전환

손실

38.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

56.7

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=150oC,Vcc=900V, vCEM≤1200V

1600

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

if=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

if=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.65

qr

회복 전하

vr=600V,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15vtj=25oc

38.0

μC

irm

피크 역전

회복 전류

285

a

erec

역회복에너지

19.0

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15v tj= 125oc

66.5

μC

irm

피크 역전

회복 전류

380

a

erec

역회복에너지

36.6

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15v tj= 150oc

76.0

μC

irm

피크 역전

회복 전류

399

a

erec

역회복에너지

41.8

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드 레시스타칩에 터미널

0.35

mΩ

rthJC

부문별 (IGB당)T)

커스 (D) 에 대한 연결오드)

0.072

0.095

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (per 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

0.035

0.046

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게 의 모듈

300

g