IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

700

400

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

800

a

pd

최대 전력 분산 @ T =175oc

2542

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1200

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

400

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

800

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=400A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

ic=400A,VGE=15V, tj=125oc

2.00

ic=400A,VGE=15V, tj=150oc

2.10

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 16.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

1.9

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

28.8

NF

cres

역전환

용량

1.31

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

1.20

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg= 1.8Ω,

vGE=±15V,tj=25oc

250

NS

tr

상승 시간

39

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

500

NS

tf

하강 시간

100

NS

e에

켜 전환

손실

17.0

mj

e끄다

그림 전환

손실

42.0

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg= 1.8Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

299

NS

tr

상승 시간

46

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

605

NS

tf

하강 시간

155

NS

e에

켜 전환

손실

25.1

mj

e끄다

그림 전환

손실

61.9

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,- 그래rg= 1.8Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

320

NS

tr

상승 시간

52

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

625

NS

tf

하강 시간

180

NS

e에

켜 전환

손실

30.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

66.8

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj=150oC,Vcc=600V, vCEM≤1200V

1600

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

if=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

if=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.65

qr

회복 전하

vcc=600V,If=400A,

-di/dt=6000A/μs

vGE=- 15V,tj=25oc

44

μC

irm

피크 역전

회복 전류

490

a

erec

역회복에너지

19.0

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=400A,

-di/dt=6000A/μs

vGE=- 15V, tj= 125oc

78

μC

irm

피크 역전

회복 전류

555

a

erec

역회복에너지

35.1

mj

qr

회복 전하

vcc=600V,If=400A,

-di/dt=6000A/μs

vGE=- 15V, tj= 150oc

90

μC

irm

피크 역전

회복 전류

565

a

erec

역회복에너지

38.8

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 r100

tc= 100oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력 소모

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래

1/(298.15K))]

3375

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

rthJC

부문별 (IGB당)T)

부대와 부대 (D당)요오드)

0.059

0.106

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (per 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

0.109

0.196

0.035

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게 의 모듈

300

g