IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD400HFL120C2SN

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

수집기 전류 @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

a

400

iCM(1)

펄스 컬렉터 전류    tp=1ms

800

a

if

다이오드 연속 전류@ Tc=80°C

400

a

ifm

다이오드 최대 전류n

800

a

pd

최대 전력 분산 @tj=150°C

2450

w

tjmax

최대 분기 온도

150

°C

tSTG

저장 온도 범위

-40~ +125

°C

viso

절연 전압    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

장착

전원 단자 스ikulu:M6

2.5에서 5.0

n.m

토크

장착 스ikulu:M6

3.0에서 5.0

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(BR) CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다 전류

vc=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출

전류

vGE=VGESVc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE (th)

게이트 발산자 문

전압

ic=16mA,Vc=VGE, tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic=400A,VGE=15V, tj=25°C

1.90

2.35

v

ic=400A,VGE=15V, tj=125°C

2.10

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(on)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,rg=4.1Ω,VGE=±15V, tj=25°C

910

NS

tr

상승 시간

200

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

848

NS

tf

하강 시간

110

NS

e에

켜 전환

손실

33.5

mj

e끄다

그림 전환

손실

39.5

mj

td(on)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=400A,rg=4.1Ω,VGE=±15V, tj=125°C

1047

NS

tr

상승 시간

201

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

998

NS

tf

하강 시간

150

NS

e에

켜 전환

손실

46.0

mj

e끄다

그림 전환

손실

57.6

mj

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

29.7

NF

c소

출력 용량

2.08

NF

cres

역전환

용량

1.36

NF

isc

SC 데이터

tsc≤10μs,VGE=15V,

tj=25°CVcc=600V,

vCEM ≤1200v

1800

a

rGint

내부 게이트 저항

0.5

오

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rcc+EE'

모듈 리드 레시스타nce, 터미널에서 칩으로

tc=25°C

0.35

m오

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=400A

tj=25°C

1.80

2.40

v

tj=125°C

1.85

qr

회복 전하

if=400A,

vr=600V,

di/dt=-2680A/μs, vGE=-15V

tj=25°C

26

μC

tj=125°C

49

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

212

a

tj=125°C

281

erec

역회복 에너지

tj=25°C

13.4

mj

tj=125°C

23.8

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

교차점- 그래에- 그래케이스(perIGBT)

0.051

K/W

rθJC

부수 (주)다이오드)

0.072

K/W

rθCS

케이스-투-심크 (전도성 지방)적용)

0.035

K/W

무게

무게 모듈

300

g