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IGBT 모듈,1700 400A
특징
전형적인 응용 프로그램
igt tc=25°C 아니면 그렇지 않으면 언급
최대 등급 값
상징 | 설명 | GD400CUT170C2S | 단위 |
vCES | 수집기-출력기 전압 @ Tj=25°C | 1700 | v |
vGES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | v |
ic | 수집기 전류 @ Tc=25°C @ Tc=80°C | 650 400 | a |
icm | 펄스 컬렉터 전류 tp=1ms | 800 | a |
ptot | 전력 분산@ Tj= 150°C | 2403 | w |
tsc | 단회로 견딜 시간 @ Tj=150°C | 10 | μs |
특징이 없네요
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
v(br)CES | 수집자-출출자 정전 전압 | tj=25°C | 1700 |
|
| v |
iCES | 수집가 절단- 그래끄다 전류 | vc=vCES,vGE=0V, tj=25°C |
|
| 3.0 | 엄마 |
iGES | 게이트 발사자 누출 전류 | vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C |
|
| 400 | 아 |
특징 에 관한 것
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
vGE(제1회) | 게이트 발산자 문 전압 | ic= 16mA,Vc=VGE,tj=25°C | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v |
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | ic=400A,VGE=15V, tj=25°C |
| 2.00 | 2.45 |
v |
ic=400A,VGE=15V, tj= 125°C |
| 2.40 |
|
변동 특성
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 | ||
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=400A,rg=3.6Ω,VGE= ±15V,tj=25°C |
| 278 |
| NS | ||
tr | 상승 시간 |
| 81 |
| NS | |||
td(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 802 |
| NS | |||
tf | 하강 시간 |
| 119 |
| NS | |||
e에 | 켜 전환 손실 |
| 104 |
| mj | |||
e끄다 | 턴오프 스위칭 손실 |
| 86 |
| mj | |||
td(에) | 턴온 지연 시간 | vcc=900V,Ic=400A,rg=3.6Ω,VGE= ±15V, tj= 125°C |
| 302 |
| NS | ||
tr | 상승 시간 |
| 99 |
| NS | |||
td(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 1002 |
| NS | |||
tf | 하강 시간 |
| 198 |
| NS | |||
e에 | 켜 전환 손실 | vcc=900V,Ic=400A,rg=3.6Ω,VGE= ±15V, tj= 125°C |
| 136 |
| mj | ||
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 124 |
| mj | |||
c소 | 입력 용량 |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 36 |
| pf | ||
c소 | 출력 용량 |
| 1.5 |
| pf | |||
cres | 역전환 용량 |
| 1.2 |
| pf | |||
rGint | 내부 게이트 저항저항 |
|
| 1.9 |
| 오 | ||
isc |
SC 데이터 | tp ≤10μs,VGE=15V, tj=125°CVcc= 1000V, 브CEM≤1700V |
|
1600 |
|
a | ||
다이오드 tc=25°C 아니면 그렇지 않으면 언급
최대 등급 값
상징 | 설명 | GD400CUT170C2S | 단위 |
vRRM | 반복적 최고 역전압 @ Tj=25°C | 1700 | v |
if | DC 전류 @ Tc=80°C | 100 | a |
iFRM | 반복적 피크 전류 tp=1ms | 200 | a |
i2t | i2t값,Vr=0V,Tp=10ms,Tj=125°C | 1800 | a2s |
특성 가치
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 | |
vf | 다이오드 앞 전압 | if= 100A,VGE=0V | tj=25°C |
| 1.80 | 2.20 | v |
tj= 125°C |
| 1.90 |
| ||||
qr | 다이오드 역전 회복 전하 |
if= 100A vr=900V, di/dt=-2450A/μs, vGE=- 15v | tj=25°C |
| 29.0 |
| μC |
tj= 125°C |
| 48.5 |
| ||||
irm | 다이오드 피크 역회복 전류 | tj=25°C |
| 155 |
|
a | |
tj= 125°C |
| 165 |
| ||||
erec | 역회복 에너지 | tj=25°C |
| 15.5 |
| mj | |
tj= 125°C |
| 27.5 |
| ||||
상징 | 매개 변수 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
viso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 |
| 2500 |
| v |
난c | 방랑 인덕턴스 |
|
| 20 | NH |
rcc+EE ' | 모듈 납 저항, 칩에 터미널 @ Tc=25°C |
| 0.35 |
| m오 |
rθJC | 부대와 부대 (IGBT 인버터,당 1/2 모드l) |
|
| 0.052 |
K/W |
부대와 부대 (디오이드 브레이크 퍼 1/2 모듈) |
|
| 0.280 | ||
rθcs | 케이스-투-심크 (전도성 지방)) |
| 0.035 |
| K/W |
tj | 최대 분기 온도 |
| 150 |
| °C |
tSTG | 저장 온도 범위 | -40 |
| 125 | °C |
장착 토크 | 전원 단자 스ikulu:M6 | 2.5 |
| 5.0 | n.m |
장착 스ikulu:M6 | 3.0 |
| 5.0 | ||
g | 무게 의 모듈 |
| 300 |
| g |
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