IGBT 모듈 1700V

상징

설명

GD3600SGT170C4S

단위

VCES

컬렉터-이미터 전압

1700

v

VGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류@ TC=25℃

집합 전류@ TC=80℃

5200

a

3600

ICM (이하 ICM)

펄스 집합 전류    tp= 1ms

7200

a

만약

다이오드 연속 전류

3600

a

ifm

다이오드 최대 전류

7200

a

PD

최대 전력 소산    @ Tj= 175℃

19.7

kw

Tj

최대 분기 온도

175

°C

TSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

°C

비소

절연 전압    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

장착

신호 단말 스ikulu:M4

전원 터미널 나사:M8

1.8에서 2.1

8.0에서 10

n.m

토크

장착 나사:M6

4.25 ~ 5.75

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

V ((BR) CES

수집자-출출자

정전 전압

Tj=25°C

1700

v

ICES

컬렉터 차단 전류

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

엄마

IGES

게이트 발사자 누출

전류

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

VGE (th)

게이트 발산자 문

전압

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

VCE(sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

본부

게이트 요금

VGE=- 15…+15V

42.0

μC

RGint

내부 게이트 저항

Tj=25°C

0.5

오

td(on)

턴온 지연 시간

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25°C

730

NS

tr

상승 시간

205

NS

td(off)

차단 지연 시간

1510

NS

tf

하강 시간

185

NS

EON

턴온 스위칭 손실

498

mj

EOFF

턴오프 스위칭 손실

1055

mj

td(on)

턴온 지연 시간

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

NS

tr

상승 시간

225

NS

td(off)

차단 지연 시간

1800

NS

tf

하강 시간

325

NS

EON

턴온 스위칭 손실

746

mj

EOFF

턴오프 스위칭 손실

1451

mj

시스

입력 용량

VCE=25V,f=1Mhz,

VGE=0V

317

NF

코스

출력 용량

13.2

NF

크레스

역전환

용량

10.5

NF

이스

SC 데이터

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

a

LCE

방랑 인덕턴스

10

NH

RCC’+EE ’

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.12

mΩ

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

VF

다이오드 앞

전압

IF=3600A

Tj=25°C

1.80

2.20

v

Tj= 125℃

1.90

2.30

qr

회복 전하

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25°C

836

μC

Tj= 125℃

1451

IRM

역 회전 전류

Tj=25°C

2800

a

Tj= 125℃

3300

Erec

역 회수 에너지

Tj=25°C

590

mj

Tj= 125℃

1051