IGBT 모듈 1700V

상징

설명

가치

단위

VCES

컬렉터-이미터 전압

1700

v

VGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

컬렉터 전류 @ TC=25도C

컬렉터 전류 @ TC=65oC

4446

3600

a

ICM

펄스 컬렉터 전류 tp=1ms

7200

a

PD

최대 전력 분산 @ Tj=175oC

15.3

kw

상징

설명

가치

단위

VRRM

반복 피크 역전압

1700

v

만약

다이오드 연속 전류

3600

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

7200

a

상징

설명

가치

단위

Tjmax

최대 분기 온도

175

^oc

Tjop

작동점 온도

-40에서 +150

^oc

TSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

^oc

비소

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

VCE(sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE (th)

포트-에미터 임계 전압

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

v

ICES

컬렉터 차단

전류

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25도C

5.0

엄마

IGES

게이트-에미터 누출 전류

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

아

RGint

내부 게이트 저항

0.53

오

시스

입력 용량

VCE=25V,f=1Mhz,

VGE=0V

240

NF

크레스

역전환

용량

8.64

NF

본부

게이트 요금

VGE=+15…+15V

21.6

μC

td(on)

턴온 지연 시간

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=25oC

660

NS

tr

상승 시간

280

NS

td(off)

차단 지연 시간

1600

NS

tf

하강 시간

175

NS

EON

팅 스위치

손실

650

mj

EOFF

그림 전환

손실

1100

mj

td(on)

턴온 지연 시간

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=125oC

740

NS

tr

상승 시간

290

NS

td(off)

차단 지연 시간

1800

NS

tf

하강 시간

315

NS

EON

팅 스위치

손실

800

mj

EOFF

그림 전환

손실

1500

mj

td(on)

턴온 지연 시간

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=150oC

780

NS

tr

상승 시간

295

NS

td(off)

차단 지연 시간

1850

NS

tf

하강 시간

395

NS

EON

팅 스위치

손실

900

mj

EOFF

그림 전환

손실

1600

mj

이스

SC 데이터

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

ka

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

VF

다이오드 앞

전압

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

v

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

qr

회복 전하

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

2600

a

Erec

역 회수 에너지

490

mj

qr

회복 전하

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

3150

a

Erec

역 회수 에너지

950

mj

qr

회복 전하

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

3300

a

Erec

역 회수 에너지

1100

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

LCE

방랑 인덕턴스

6.0

NH

RCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.12

mΩ

RthJC

커스 연결 (IGBT)

커스 (디오드당) 에 대한 연결

9.8

16.3

K/kW

RthCH

케이스-히트싱크 (IGBT당)

케이스-히트싱크 (다이오드당)

케이스-히트싱크 (모듈당)

6.5

10.7

4.0

K/kW

m

단자 연결 토크, 나사 M4 단자 연결 토크, 나사 M8 장착 토크, 나사 M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

n.m

g

모듈의 무게

2300

g