IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD300TLT120C2S

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압  @ Tj=25°C

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압  @ Tj=25°C

±20

v

ic

수집자 현재 @tc=25°C

@ Tc= 100°C

480

300

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

600

a

ptot

총 전력 소산  @ Tj=175°C

1630

w

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 12.0mA,Vc=VGE,tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic= 300A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

ic= 300A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=300A,- 그래rg=2.4Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

250

NS

tr

상승 시간

90

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

550

NS

tf

하강 시간

130

NS

e에

켜 전환 손실

16.9

mj

e끄다

그림 전환 손실

29.4

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=300A,- 그래rg=2.4Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

300

NS

tr

상승 시간

100

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

650

NS

tf

하강 시간

180

NS

e에

켜 전환 손실

25.1

mj

e끄다

그림 전환 손실

43.9

mj

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

21.5

NF

cres

역전환

용량

0.98

NF

qg

게이트 요금

vcc=600V,Ic=300A, vGE=-15 - 네+15V

2.8

nc

rGint

내부 게이트 저항기

2.5

오

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15 v,

tj=125℃,V cc=900V, 브CEM≤1200V

1200

a

상징

설명

GD300TLT120C2S

단위

vRRM

반복 피크 역전압  @ Tj=25°C

1200

v

if

동전 전류

300

a

iFRM

반복 피크 순방향 전류  tp=1ms

600

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=300A,

vGE=0V

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj=125°C

1.65

qr

회복 전하

if=300A,

vr=600V,

rg=2.4Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

30

μC

tj=125°C

55

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

210

a

tj=125°C

270

erec

역회복에너지

tj=25°C

13.9

mj

tj=125°C

26.1

상징

설명

GD300TLT120C2S

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압  @ Tj=25°C

650

v

vGES

게이트-이미터 전압  @ Tj=25°C

±20

v

ic

수집자 현재 @tc=25°C

@ Tc= 100°C

480

300

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

600

a

ptot

총 전력 소산  @ Tj=175°C

1071

w

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

650

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=13.2엄마,vc=vGE, tj=25°C

5.5

7.7

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic= 300A,VGE=15V, tj=25°C

1.50

1.95

v

ic= 300A,VGE=15V, tj=175°C

1.80

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=300V,Ic=300A,- 그래rg=2.5Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

125

NS

tr

상승 시간

320

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

270

NS

tf

하강 시간

135

NS

e에

켜 전환 손실

3.20

mj

e끄다

그림 전환 손실

12.2

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=300V,Ic=300A,- 그래rg=2.5Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

110

NS

tr

상승 시간

320

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

320

NS

tf

하강 시간

145

NS

e에

켜 전환 손실

3.50

mj

e끄다

그림 전환 손실

12.8

mj

c소

입력 용량

vc=30V,f=1MHz,

vGE=0V

25.9

NF

cres

역전환

용량

0.68

NF

qg

게이트 요금

vcc=300V,Ic=300A, vGE=15V

590

nc

rGint

내부 게이트 저항기

1.0

오

isc

SC 데이터

tp≤6μs,vGE=15V,

tj=125℃,Vcc=360V, 브CEM≤650V

3600

a

상징

설명

GD300TLT120C2S

단위

vRRM

반복 피크 역전압  @ Tj=25°C

650

v

if

동전 전류

300

a

iFRM

반복 피크 순방향 전류  tp=1ms

600

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=300A,

vGE=0V

tj=25°C

1.40

1.80

v

tj=125°C

1.40

qr

회복 전하

if=300A,

vr=300V,

rg=4.7Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

12.0

μC

tj=125°C

21.2

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

153

a

tj=125°C

185

erec

역회복에너지

tj=25°C

2.65

mj

tj=125°C

5.12

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

rθJC

커스 (T1당)T2 IGBT)

접합-케이스 (per T1,T2 다이오드)

커스 (T3당) 에 대한 접합T4 IGBT)

접합-케이스 (per T3,T4 다이오드)

0.092

0.158

0.137

0.236

K/W

rθcs

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용)거짓말)

0.035

K/W

tjmax

최대 분기 온도

175

°C

tjop

작동점 온도

-40

150

°C

tSTG

저장 온도범위

-40

125

°C

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게 모듈

340

g