IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD300SGU120C2S

단위

VCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

VGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

전류 수집기 @ TC=25°C

@ TC=80°C

440

300

a

ICM

펄스 컬렉터 전류 tp=1ms

600

a

만약

다이오드 연속 전류 @ TC=80°C

300

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

600

a

PD

최대 전력 분산 @ Tj=150°C

2272

w

Tjmax

최대 분기 온도

150

°C

TSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

°C

비소

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

장착 모터

신호 단말 스ikulu:M4

1.1에서 2.0

전원 터미널 나사:M6

2.5 ~ 5.0

n.m

장착 나사:M6

3.0에서 5.0

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

V ((BR) CES

수집자-출출자

정전 전압

Tj=25°C

1200

v

ICES

컬렉터 차단

전류

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

엄마

IGES

게이트-에미터 누출 전류

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

VGE (th)

포트-에미터 임계 전압

IC=3.0mA,VCE=VGE,Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

v

VCE(sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

IC=300A,VGE=15V,Tj=25°C

3.10

3.55

v

IC=300A,VGE=15V,Tj=125°C

3.45

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=300A,- 그래rg=3.3Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

662

NS

tr

상승 시간

142

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

633

NS

tf

하강 시간

117

NS

e에

켜 전환 손실

19.7

mj

e끄다

그림 전환 손실

22.4

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=300A,- 그래rg=3.3Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

660

NS

tr

상승 시간

143

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

665

NS

tf

하강 시간

137

NS

e에

켜 전환 손실

24.9

mj

e끄다

그림 전환 손실

28.4

mj

c소

입력 용량

vc=30V,f=1MHz,

vGE=0V

25.3

NF

c소

출력 용량

2.25

NF

cres

역전환

용량

0.91

NF

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15 v,

tj=125°Cvcc=900V, vCEM≤1200V

2550

a

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

0.18

mΩ

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=300A

tj=25°C

1.82

2.25

v

tj=125°C

1.95

qr

회복

부과

if=300A,

vr=600V,

rg=3.3Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

29.5

μC

tj=125°C

42.3

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

210

a

tj=125°C

272

erec

역회복에너지

tj=25°C

16.4

mj

tj=125°C

22.7

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

부문별 (IGB당)T)

0.055

K/W

rθJC

부대와 부대 (D당)요오드)

0.092

K/W

rθcs

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용)거짓말)

0.035

K/W

무게

무게     모듈

300

g