IGBT 모듈 1700V

상징

설명

GD300SGL170C2S

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1700

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

수집자 현재 @tc=25°C

@ Tc= 100°C

460

300

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

600

a

if

다이오드 연속 전면 커임대료

300

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

600

a

pd

최대 전력 분산 @ Tj=175°C

2273

w

tjmax

최대 분기 온도

175

°C

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

°C

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

°C

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

m

단자 연결 토크, 나사 M4

1.1에서 2.0

단자 연결 토크, 스크루브 m6

2.5에서 5.0

n.m

장착 토크, 스크루브 m6

3.0에서 5.0

g

무게 모듈

300

g

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1700

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=24.0엄마,vc=vGE, tj=25°C

5.4

6.2

7.4

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic= 300A,VGE=15V, tj=25°C

2.50

2.95

v

ic= 300A,VGE=15V, tj=125°C

3.00

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=4.7Ω,VGE=±15V, tj=25°C

464

NS

tr

상승 시간

157

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

421

NS

tf

하강 시간

290

NS

e에

켜 전환

손실

108

mj

e끄다

그림 전환

손실

55.2

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=4.7Ω,VGE=±15V, tj= 125°C

483

NS

tr

상승 시간

161

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

465

NS

tf

하강 시간

538

NS

e에

켜 전환

손실

128

mj

e끄다

그림 전환

손실

83.7

mj

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

20.4

NF

cres

역전환

용량

0.72

NF

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15 v,

tj=125℃,V cc= 1300 v, 브CEM≤1700V

960

a

qg

게이트 요금

vcc=900V,Ic=300A, vGE=-15 - 네+15V

2.4

μC

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rCC+EE

모듈 리드

저항력

터미널에서 칩으로

0.18

mΩ

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=300A

tj=25°C

1.80

2.25

v

tj=125°C

1.95

qr

회복

부과

if=300A,

vr=900V,

rg=4.7Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

70.3

μC

tj=125°C

108

irm

피크 역전

회복 전류

tj=25°C

209

a

tj=125°C

238

erec

역회복에너지

tj=25°C

40.7

mj

tj=125°C

65.1

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

부문별 (IGB당)T)

0.066

K/W

rθJC

부대와 부대 (D당)요오드)

0.105

K/W

rθcs

케이스-투-심크 (전도성 지방 응용)거짓말)

0.035

K/W