홈페이지 / 제품 / igbt 모듈 / IGBT 모듈 1700V
특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
igt
상징 | 설명 | 값 | 단위 |
vCES | 컬렉터-이미터 전압 | 1700 | v |
vGES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | v |
ic | 집합 전류 @ Tc=25oc @ Tc= 100oc | 493 300 | a |
icm | 펄스 콜렉터 전류 tp=1ms | 600 | a |
pd | 최대 전력 분산 t =175oc | 1829 | w |
다이오드
상징 | 설명 | 값 | 단위 |
vRRM | 반복 피크 역전압 | 1700 | v |
if | 다이오드 연속 전면 커임대료 | 300 | a |
ifm | 다이오드 최대 전류 tp=1ms | 600 | a |
모듈
상징 | 설명 | 값 | 단위 |
tjmax | 최대 분기 온도 | 175 | oc |
tjop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | oc |
tSTG | 저장 온도범위 | -40에서 +125 | oc |
viso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 | 4000 | v |
igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | ic= 300A,VGE=15V, tj=25oc |
| 1.85 | 2.20 |
v |
ic= 300A,VGE=15V, tj=125oc |
| 2.25 |
| |||
ic= 300A,VGE=15V, tj=150oc |
| 2.35 |
| |||
vGE(제1회) | 게이트 발산자 문 전압 | ic= 12.0mA,Vc=VGE, tj=25oc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
iCES | 수집가 절단- 그래끄다 전류 | vc=vCES,vGE=0V, tj=25oc |
|
| 1.0 | 엄마 |
iGES | 게이트 발사자 누출 전류 | vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc |
|
| 400 | 아 |
rGint | 내부 게이트 저항ance |
|
| 2.5 |
| 오 |
c소 | 입력 용량 | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 36.1 |
| NF |
cres | 역전환 용량 |
| 0.88 |
| NF | |
qg | 게이트 요금 | vGE=- 15...+15V |
| 2.83 |
| μC |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=2.4Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
| 204 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 48 |
| NS | |
td(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 595 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 100 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 69.3 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 63.3 |
| mj | |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=2.4Ω VGE=±15V, tj= 125oc |
| 224 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 55 |
| NS | |
td(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 611 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 159 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 96.8 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 99.0 |
| mj | |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=2.4Ω VGE=±15V, tj= 150oc |
| 240 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 55 |
| NS | |
td(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 624 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 180 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 107 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 105 |
| mj | |
isc |
SC 데이터 | tp≤ 10μs,VGE=15V, tj=150oC,Vcc= 1000V, 브CEM≤1700V |
|
1200 |
|
a |
다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
vf | 다이오드 앞 전압 | if= 300A,VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.80 | 2.25 |
v |
if= 300A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.90 |
| |||
if= 300A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 1.95 |
| |||
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15vtj=25oc |
| 55 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 297 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 32.2 |
| mj | |
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15vtj=125oc |
| 116 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 357 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 68.2 |
| mj | |
qr | 회복 전하 | vr=900V,If=300A, -di/dt=5400A/μs,VGE=- 15vtj=150oc |
| 396 |
| μC |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 120 |
| a | |
erec | 역회복에너지 |
| 81.6 |
| mj |
모듈 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
난c | 방랑 인덕턴스 |
|
| 20 | NH |
rCC+EE | 모듈 리드 레시스타칩에 터미널 |
| 0.35 |
| mΩ |
rthJC | 부문별 (IGB당)T) 커스 (D) 에 대한 연결오드) |
|
| 0.082 0.129 | K/W |
rthCH | 케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (per 다이오드) 케이스-히트싱크 (per모듈) |
| 0.033 0.051 0.010 |
| K/W |
m | 단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | n.m |
g | 무게 의 모듈 |
| 300 |
| g |
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