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IGBT 모듈, 1700V 300A
특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 Te=25℃ 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 설명 | GD300HFT170C2S | 단위 |
VCES | 수집자-출출자 전압 | 1700 | v |
VGFs | 게이트 발사기 전압 | ±20 | v |
ic | 수집가 전류 @Tc=25℃ @Tc=80℃ | 550 | a |
300 | |||
ICM (이하 ICM) | 펄스 수집가 전류 tp=1ms | 600 | a |
IR | 다이오드 연속 앞으로 전류 | 300 | a |
IM | 다이오드 최대 앞으로 전류 | 600 | a |
pp | 최대 전력 분산 @Tj=175℃ | 2083 | w |
TSC | 짧다 회로 견디세요 시간 @Tj=125℃ | 10 | μs |
Tjmax | 최대 교차점 온도 | 175 | °C |
TSTG | 저장 온도 범위 | -40 to+125 | °C |
I²t-값,다이오드 | VR=0V,t=10ms,Tj=125°C | 14500 | A²s |
비소 | 고립 전압 RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | v |
장착 토크 | 전력 터미널 스크루:M6 | 2.5 에 5.0 | n.m |
장착- 그래스ikulu:M6 | 3.0 에 5.0 | n.m |
전기 특징 의 igt Te=25℃ 아니면 그렇지 않으면 언급
끄다 특징
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 분- 그래요 | 유형- 그래요 | 최대- 그래요 | 단위 |
BVcrs | 수집자-출출자 분산 전압 | VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃ | 1700 |
|
| v |
ICES | 수집가 컷오프 전류 | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25°C |
|
| 3.0 | 엄마 |
IGrs | 게이트 발사기 누출 전류 | VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃ |
|
| 400 | 아 |
에 특징
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 분- 그래요 | 전형적인. | 최대- 그래요 | 단위 |
Vcπ(h) | 게이트 발사기 임계값 전압 | Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃ | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v |
VCE(sat) |
수집가 에 발산기 포화 전압 | Ic=300A,VGr=15V, T=25℃ |
| 2.0 |
|
v |
ic=300A,VGr=15V. T=125℃ |
| 2.4 |
|
전환 특징
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 분- 그래요 | 전형적인. | 최대- 그래요 | 단위 | |||
taon) | 켜 지연 시간 | Vcc=900V,Ic=300A,Ra=4.72, Vae=±15V, T=25℃ |
| 281 |
| NS | |||
t | 상승 시간 |
| 82 |
| NS | ||||
아(o) | 그림 지연 시간 |
| 801 |
| NS | ||||
tr | 하강 시간 |
Vcc=900V,Ic=300A, Rc=4.72, V=±15V T=25℃ |
| 121 |
| NS | |||
EON | 켜 전환 손실 |
| 70 |
| mj | ||||
Eofr | 그림 전환 손실 |
| 65 |
| mj | ||||
ta(on) | 켜 지연 시간 |
Vcc=900V,Ic=300A, RG=4.72, Vc=±15VT=125℃ |
| 303 |
| NS | |||
t | 상승 시간 |
| 103 |
| NS | ||||
ta(om) | 그림 지연 시간 |
| 1002 |
| NS | ||||
tr | 하강 시간 |
| 203 |
| NS | ||||
EON | 켜 전환 손실 |
| 105 |
| mj | ||||
EOR | 그림 전환 손실 |
| 94 |
| mj | ||||
시스 | 입력 용량 |
VCE=25V,f=1Mhz, VGr=0V |
| 27.0 |
| NF | |||
코스 | 출력 용량 |
| 1.1 |
| NF | ||||
크레스 | 역행 이전 용량 |
| 0.9 |
| NF | ||||
이스 |
sc 데이터 | tSC≤10μs,VGE=15V, T=125℃, Vcc=1000V VcrM≤1700V |
|
1200 |
|
a | |||
RGint | 내부 포트 저항c |
|
| 2.5 |
| 오 | |||
LCr | 스트레이 인덕턴스 |
|
|
| 20 | NH | |||
RcC'+EE' | 모듈 납 저항력 터미널 에 칩 | TC=25°C |
| 0.35 |
| m2 | |||
전기 특징 의 다이오드 Tc=25℃ 아니면 그 외 주의사항d
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 분- 그래요 | 전형적인. | 최대- 그래요 | 단위 | |
vr | 다이오드 앞으로 전압 | Iq=300A | Tj=25°C |
| 1.8 |
| v |
Ti=125℃ |
| 1.9 |
| ||||
q | 다이오드 역행 회수 부과 |
Ir=300A, VR=900V, di/dt=-3600A/μs, VGr=-15V | T=25℃ |
| 77 |
| μC |
Tj=125°C |
| 131 |
| ||||
IRM | 다이오드 최고 역행 회수 전류 | Tj=25°C |
| 351 |
|
a | |
T=125℃ |
| 383 |
| ||||
Eree | 역행 회수 에너지 | Tj=25°C |
| 40 |
| mj | |
Tj=125°C |
| 72 |
| ||||
열 특성cs
상징 | 매개 변수 | 전형적인. | 최대- 그래요 | 단위 |
Rac | 교차점- 그래에- 그래케이스 (igt 부분, 1 1/2 모듈l) |
| 0.072 | K/W |
Rac | 교차점- 그래에- 그래케이스 (다이오드 부분, per 1/2 모듈) |
| 0.13 | K/W |
Roc | 케이스-싱크 (전도성 지방 적용) | 0.035 |
| K/W |
무게 | 무게 의 모듈 | 300 |
| g |
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