IGBT 모듈 1700V

상징

설명

가치

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1700

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

집합 전류  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

430

300

a

icm

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

600

a

pd

최대 전력 분산 @ T =175oc

1851

w

상징

설명

가치

단위

vRRM

반복 피크 역전압

1700

v

if

다이오드 연속 전면 커임대료

300

a

ifm

다이오드 최대 전류 tp=1ms

600

a

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic= 300A,VGE=15V, tj=25oc

2.40

2.85

v

ic= 300A,VGE=15V, tj=125oc

2.80

ic= 300A,VGE=15V, tj=150oc

2.90

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic= 12.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다

전류

vc=vCES,vGE=0V,

tj=25oc

1.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

2.3

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

20.0

NF

cres

역전환

용량

0.72

NF

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

1.8

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=4.7Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

464

NS

tr

상승 시간

157

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

421

NS

tf

하강 시간

290

NS

e에

켜 전환

손실

108

mj

e끄다

그림 전환

손실

55.2

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=4.7Ω,

vGE=±15V, tj=125oc

483

NS

tr

상승 시간

161

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

465

NS

tf

하강 시간

538

NS

e에

켜 전환

손실

128

mj

e끄다

그림 전환

손실

83.7

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=900V,Ic=300A,- 그래rg=4.7Ω,

vGE=±15V, tj=150oc

492

NS

tr

상승 시간

165

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

483

NS

tf

하강 시간

747

NS

e에

켜 전환

손실

141

mj

e끄다

그림 전환

손실

92.1

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 10μs,VGE=15V,

tj= 150oC,Vcc= 1000V, 브CEM≤1700V

960

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if= 300A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

if= 300A,VGE=0V,Tj=125oc

1.95

if= 300A,VGE=0V,Tj=150oc

1.90

qr

회복 전하

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15vtj=25oc

70

μC

irm

피크 역전

회복 전류

209

a

erec

역회복에너지

40.7

mj

qr

회복 전하

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15vtj=125oc

108

μC

irm

피크 역전

회복 전류

238

a

erec

역회복에너지

65.1

mj

qr

회복 전하

vr=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15vtj=150oc

123

μC

irm

피크 역전

회복 전류

253

a

erec

역회복에너지

71.6

mj

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

15

NH

rCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.25

mΩ

rthJC

부문별 (IGB당)T)

커스 (D) 에 대한 연결오드)

0.081

0.138

K/W

rthCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe)r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당)오두엘)

0.032

0.054

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m

g

무게 의 모듈

300

g