IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD2400SGL120C3S

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

ic

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

3400

a

2400

icm(1)

펄스 컬렉터 전류    tp= 1밀리초

4800

a

if

다이오드 연속 전류

2400

a

ifm

다이오드 최대의 앞회수임대료

4800

a

pd

최대 전력 소산    @ Tj= 150°C

10.4

kw

tj

최대 분기 온도

-40에서 +150

°C

tSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

°C

viso

절연 전압    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

장착

신호 단자 나사:M4

전원 단자 나사:M8

1.8에서 2.1

8.0에서 10

n.m

토크

장착 스ikulu:M6

4.25에서 5.75

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

v(br)CES

수집자-출출자

정전 전압

tj=25°C

1200

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다 전류

vc=vCES,vGE=0V, tj=25°C

5.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출

전류

vGE=vGES,vc=0V, tj=25°C

400

아

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vGE(제1회)

게이트 발산자 문

전압

ic=96.0엄마,vc=vGE,tj=25°C

5.0

6.3

7.0

v

vCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

ic= 2400A,VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

ic= 2400A,VGE=15V, tj= 125°C

2.20

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

qg

게이트 요금

vGE=- 15...+15V

24.5

μC

rGint

내부 게이트 저항

tj=25°C

0.13

오

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=2400A, r고프=0.43Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

210

NS

tr

상승 시간

80

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

480

NS

tf

하강 시간

60

NS

e에

켜 전환 손실

260

mj

e끄다

턴오프 스위칭 손실

155

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=2400A, rg=0.43Ω,

vGE=±15V,Tj= 125°C

250

NS

tr

상승 시간

85

NS

td(끄다)

그림 지연 시간

550

NS

tf

하강 시간

90

NS

e에

켜 전환 손실

360

mj

e끄다

턴오프 스위칭 손실

250

mj

c소

입력 용량

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

170

NF

c소

출력 용량

11.4

NF

cres

역전환

용량

7.52

NF

isc

SC 데이터

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj=125°CVcc=900V, vCEM≤1200v

tbd

a

난c

방랑 인덕턴스

12

NH

rcc+EE '

모듈 리드 저항ce, 터미널에서 칩으로

0.19

m오

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞

전압

if=2400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.85

qr

회복 전하

if=2400A,

vr=600V,

rg=0.43Ω,

vGE=- 15v

tj=25°C

315

μC

tj= 125°C

530

irm

역회복 전류

tj=25°C

2000

a

tj= 125°C

2700

erec

역회복 에너지

tj=25°C

115

mj

tj= 125°C

240

상징

매개 변수

전형적인.

최대

단위

rθJC

부문별 (IGB당)T)

12

K/kW

rθJC

커스 (D) 에 대한 연결오드)

22

K/kW

rθcs

케이스-싱크

(전도성 그리스 적용, per모듈)

6

K/kW

무게

무게 의 모듈

1500

g