IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

단위

vCES

컬렉터-이미터 전압

1200

v

vGES

게이트-이미터 전압

±20

v

icn

구현된 집합기 Cu임대료

1000

a

ic

집합 전류  @ Tf=75oc

765

a

iCRM

반복적 최고 수집가 전류 tp 제한적 에 의해 tvjop

2000

a

pd

최대 전력 소산의정 @tf=75oc ,tj=175oc

1515

w

상징

설명

값

단위

vRRM

반복적 피크 역전압나이

1200

v

ifn

구현된 집합기 Cu임대료

1000

a

if

다이오드 연속 정방향 Cu임대료

765

a

iFRM

반복적 최고 앞으로 전류 tp 제한적 에 의해 tvjop

2000

a

iFSM

전류 전류 tp=10ms @ Tvj=25oc   @ Tvj=150oc

4100

3000

a

i2t

i2t-가치,tp=10ms@tvj=25oC  @ Tvj=150oc

84000

45000

a2s

상징

설명

가치

단위

tjmax

최대 분기 온도

175

oc

tvjop

작동점 온도

-40에서 +150

oc

tSTG

저장 온도 범위

-40에서 +125

oc

viso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분

4000

v

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vCE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

ic=1000A,VGE=15V, tvj=25oc

1.45

1.90

v

ic=1000A,VGE=15V, tvj=125oc

1.65

ic=1000A,VGE=15V, tvj=175oc

1.80

vGE(제1회)

게이트 발산자 문 전압

ic=24.0엄마,vc=vGE, tvj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

수집가 절단- 그래끄다전류

vc=vCES,vGE=0V, tvj=25oc

1.0

엄마

iGES

게이트 발사자 누출 전류

vGE=vGES,vc=0V,tvj=25oc

400

아

rGint

내부 게이트 저항ance

0.5

오

c소

입력 용량

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

51.5

NF

cres

역전환 용량

0.36

NF

qg

게이트 요금

vGE=-15...+15V

13.6

μC

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,- 그래

rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V

tvj=25oc

330

NS

tr

상승 시간

140

NS

td(off)

그림 지연 시간

842

NS

tf

하강 시간

84

NS

e에

켜 전환 손실

144

mj

e끄다

그림 전환 손실

87.8

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,- 그래

rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V

tvj=125oc

373

NS

tr

상승 시간

155

NS

td(off)

그림 지연 시간

915

NS

tf

하강 시간

135

NS

e에

켜 전환 손실

186

mj

e끄다

그림 전환 손실

104

mj

td(에)

턴온 지연 시간

vcc=600V,Ic=900A,- 그래

rg=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V

tvj=175oc

390

NS

tr

상승 시간

172

NS

td(off)

그림 지연 시간

950

NS

tf

하강 시간

162

NS

e에

켜 전환 손실

209

mj

e끄다

그림 전환 손실

114

mj

isc

SC 데이터

tp≤ 8μs,VGE=15V,

tvj=150oC,Vcc=800V, 

vCEM ≤1200v

3200

a

tp≤6μs,VGE=15V,

tvj=175oC,Vcc=800V, 

vCEM ≤1200v

3000

a

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

vf

다이오드 앞 전압

if=1000A,VGE=0V,Tvj=25oc

1.60

2.05

v

if=1000A,VGE=0V,Tvj=125oc

1.70

if=1000A,VGE=0V,Tvj=175oc

1.60

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,tvj=25oc

91.0

μC

irm

피크 역전

회복 전류

441

a

erec

역회복 에너지

26.3

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,

tvj=125oc

141

μC

irm

피크 역전

회복 전류

493

a

erec

역회복 에너지

42.5

mj

qr

회복 전하

vr=600V,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,난s=40NH,

tvj=175oc

174

μC

irm

피크 역전

회복 전류

536

a

erec

역회복 에너지

52.4

mj

상징

매개 변수

시험 조건

미니

전형적인.

최대

단위

r25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 r100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

전력

분산

20.0

mw

b25/50

B값

r2=R25경험치[B25/501/T2- 그래 1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B값

r2=R25경험치[B25/801/T2- 그래 1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B값

r2=R25경험치[B25/1001/T2- 그래 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개 변수

미니

전형적인.

최대

단위

난c

방랑 인덕턴스

20

NH

rcc+EE '

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.80

mΩ

rthJF

교차점- 그래에- 그래냉각 유체(perIGBT)접합부-냉각 유체 (D당)요오드) △V/△t=10.0dm3/분,tf=75oc

0.066 0.092

K/W

m

단자 연결 토크, 스크루브 m6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

n.m

g

무게 의 모듈

400

g

p

최대 압력 냉각 회로

3

바

∆p

냉각 회로 압력 강하쿠잇

∆V/∆t=10.0dm3/min;Tf=25oC;냉각   유체=50% 물/50% 에틸렌 글리콜

47

마바르