홈페이지 / 제품 / IGBT 디스크리트
IGBT 디스크리트:1200V,75A
친절한 상기:f또는 더 많은IGBT 디스크리트, 이메일을 보내주세요.
특징
전형적인 신청서
절대 최대 등급 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
igt
상징 | 설명 | 값 | 단위 |
vCES | 컬렉터-이미터 전압 | 1200 | v |
vGES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | v |
ic | 집합 전류 @ Tc=25oC @ Tc=100oc | 150 75 | a |
icm | 펄스 수집가 전류- 그래tp- 그래제한적 에 의해 tvjmax | 225 | a |
pd | 최대 전력 분산 @ Tvj=175oc | 852 | w |
다이오드
상징 | 설명 | 값 | 단위 |
vRRM | 반복적 피크 역전압나이 | 1200 | v |
if | 다이오드 연속 정방향 Cu임대료 | 75 | a |
ifm | 펄스 수집가 전류- 그래tp- 그래제한적 에 의해 tvjmax | 225 | a |
사소한 것
상징 | 설명 | 값 | 단위 |
tvjop | 작동점 온도 | -40에서 +175 | oc |
tSTG | 저장 온도 범위 | -55에서 +150 | oc |
ts | 용접 온도 1.6mm f로미안 10s | 260 | oc |
igt 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
vCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | ic=75A,VGE=15V, tvj=25oc |
| 1.75 | 2.20 |
v |
ic=75A,VGE=15V, tvj=150oc |
| 2.10 |
| |||
ic=75A,VGE=15V, tvj=175oc |
| 2.20 |
| |||
vGE(제1회) | 게이트 발산자 문 전압 | ic=3.00엄마,vc=vGE, tvj=25oc | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
iCES | 수집가 절단- 그래끄다전류 | vc=vCES,vGE=0V, tvj=25oc |
|
| 250 | μA |
iGES | 게이트 발사자 누출 전류 | vGE=vGES,vc=0V,tvj=25oc |
|
| 100 | 아 |
rGint | 내부 게이트 저항 |
|
| 2.0 |
| 오 |
c소 | 입력 용량 |
vc=25V,f=100kHz, vGE=0V |
| 6.58 |
| NF |
c소 | 출력 용량 |
| 0.40 |
|
| |
cres | 역전환 용량 |
| 0.19 |
| NF | |
qg | 게이트 요금 | vGE=-15...+15V |
| 0.49 |
| μC |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=75A, rg=4.7Ω, vGE=±15V, Ls=40nH, tvj=25oc |
| 41 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 135 |
| NS | |
td(off) | 그림 지연 시간 |
| 87 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 255 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 12.5 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 3.6 |
| mj | |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=75A, rg=4.7Ω, vGE=±15V, Ls=40nH, tvj=150oc |
| 46 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 140 |
| NS | |
td(off) | 그림 지연 시간 |
| 164 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 354 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 17.6 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 6.3 |
| mj | |
td(에) | 턴온 지연 시간 |
vcc=600V,Ic=75A, rg=4.7Ω, vGE=±15V, Ls=40nH, tvj=175oc |
| 46 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 140 |
| NS | |
td(off) | 그림 지연 시간 |
| 167 |
| NS | |
tf | 하강 시간 |
| 372 |
| NS | |
e에 | 켜 전환 손실 |
| 18.7 |
| mj | |
e끄다 | 그림 전환 손실 |
| 6.7 |
| mj | |
isc |
SC 데이터 | tp≤10μs,vGE=15V, tvj=175oC,Vcc=800V, vCEM≤1200V |
|
300 |
|
a |
다이오드 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 시험 조건 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
vf | 다이오드 앞 전압 | if=75A,VGE=0V,Tvj=25oc |
| 1.75 | 2.20 |
v |
if=75A,VGE=0V,Tvj=150oc |
| 1.75 |
| |||
if=75A,VGE=0V,Tvj=175oc |
| 1.75 |
| |||
trr | 다이오드 역전- 그래회복 시간 |
vr=600V,If=75A, -di/dt=370A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH, tvj=25oc |
| 267 |
| NS |
qr | 회복 전하 |
| 4.2 |
| μC | |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 22 |
| a | |
erec | 역회복 에너지 |
| 1.1 |
| mj | |
trr | 다이오드 역전- 그래회복 시간 |
vr=600V,If=75A, -di/dt=340A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH, tvj=150oc |
| 432 |
| NS |
qr | 회복 전하 |
| 9.80 |
| μC | |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 33 |
| a | |
erec | 역회복 에너지 |
| 2.7 |
| mj | |
trr | 다이오드 역전- 그래회복 시간 |
vr=600V,If=75A, -di/dt=320A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH, tvj=175oc |
| 466 |
| NS |
qr | 회복 전하 |
| 11.2 |
| μC | |
irm | 피크 역전 회복 전류 |
| 35 |
| a | |
erec | 역회복 에너지 |
| 3.1 |
| mj |
사소한 것 특징 tc=25oc 아니면 그렇지 않으면 언급
상징 | 매개 변수 | 미니 | 전형적인. | 최대 | 단위 |
rthJC | 부문별 (IGB당)T)부대와 부대 (D당)요오드) |
|
| 0.176 0.371 | K/W |
rthJA | 환경과의 연결 |
| 40 |
| K/W |
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.
EN
