IGBT-Modul 4500V

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

 Spannung zwischen Kollektor und Emitter

vCES

vGE=0V,tVj=25- Nein.c

4500

v

 DC-Kollektor - Das ist nicht wahr.rrent

Ichc

tc=100- Nein.C,TVj=125- Nein.c

2000

a)

Spitzenstrom des Kollektors

Ichcm

tp=1ms

4000

a)

Tor- Ich weiß.Emitter Spannung

vGES

±20

v

Gesamtzahl Leistung Ablösung

ptot

tc=25- Nein.C,TVj=125- Nein.c

20800

w

dc Vorwärts Current

Ichf

2000

a)

Höhepunkt Vorwärts Current

IchFRM

tp=1ms

4000

a)

Stromstoß

IchFSM

vR=0V,TVj=125- Nein.C,

tp=10ms,Halbwelle

14000

a)

IGBT Kurzschluss SOA

tpsc

vCc=3400V,vCEM Splitter≤4500V vGE≤15V,TVj≤125- Nein.c

10

μs

Maximale JunctionTemperatur

tVj(maximal)

125

°C

Junction Betriebstemperatur

tVj(- Ich bin hier.)

-40 bis 125

°C

Gehäusetemperatur

tc

-40 bis 125

°C

Lagertemperatur

tstg

-40 bis 70

°C

Montagekraft

fm

60~75

kn

Parameter

 Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Kollektor-Emitter Durchbruchspannung

V(BR)CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

v

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (Sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

2.70

3.05

v

Tvj=125℃

3.35

3.85

v

Kollektor-Emitter Abschaltstrom

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

1

- Ich weiß.

Tvj=125℃

15

100

- Ich weiß.

Gate-Emitter Leckstrom

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

500

- Nein.

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

7.7

v

Gate-Ladung

QG

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Eingangskapazität

Cies

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

213

NF

Ausgangskapazität

Coes

15.3

NF

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

4.7

NF

Interner Gate-Widerstand

RGint

0

Oh

Verzögerungszeit der Einleitung

Die Daten sind nicht verfügbar.

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH,

Induktionslast

Tvj=25℃

1100

NS

Tvj=125℃

900

NS

Aufstiegszeit

Tr

Tvj=25℃

400

NS

Tvj=125℃

450

NS

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Td (ausgeschaltet)

Tvj=25℃

3800

NS

Tvj=125℃

4100

NS

Herbstzeit

Tf

Tvj=25℃

1200

NS

Tvj=125℃

1400

NS

Einschalt-Schaltenergie

EON

Tvj=25℃

14240

m

Tvj=125℃

15730

m

Ausschalt-Schaltenergie

EOFF

Tvj=25℃

6960

m

Tvj=125℃

8180

m

Kurzschlussstrom

Schlechte

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

8400

a)

Parameter

 Symbol

Bedingungen

Wert

 Einheit

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Durchlassspannung

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

2.60

v

Tvj=125℃

2.85

v

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

Einfach

IF=2000A,   VR=2800V, VGE=15V,    RGon=1.8Ω, LS=140nH,

Induktionslast

Tvj=25℃

1620

a)

Tvj=125℃

1970

a)

Rückwärts-Rückgewinnungsladung

Qrr

Tvj=25℃

1750

uC

Tvj=125℃

2700

uC

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

trr

Tvj=25℃

4.0

Wir

Tvj=125℃

5.1

Wir

Rückwärts-Rückgewinnungsverlust

Erek

Tvj=25℃

2350

m

Tvj=125℃

3860

m