IGBT-Modul,3600V 1700V
Merkmale
●SPT+Chip-Set für niedrige Schaltverluste
●Niedriger VCEsat
●Niedrige Treiberleistung
●AlSiC-Basisplatte für hohe Leistungszyklusfähigkeit
●AlN-Substrat für niedrigen thermischen Widerstand
typischAnwendung
●Zugantriebe
●Gleichstromwandler
●Mittelspannungswechselrichter/Wandler
Maximale Nennwerte
Parameter | Symbol | Bedingungen | Min | maximal | Einheit |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter | VCES | VGE =0V,Tvj ≥25°C |
| 1700 | v |
DC Kollektorstrom | - Ich weiß. | TC =80°C |
| 3600 | a) |
Spitzenstrom des Kollektors | ICM | tp=1ms,Tc=80°C |
| 7200 | a) |
Spannung des Tor-Emitters | VGES |
| -20 | 20 | v |
Gesamtleistungsverlust | Ptot | TC =25°C, pro Schalter (IGBT) |
| 17800 | w |
DC Vorwärtsstrom | Wenn |
|
| 3600 | a) |
Spitzen-Vorwärtsstrom | IFRM | TP=1 ms |
| 7200 | a) |
Stromstoß | IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halbsinusschwingung |
| 18000 | a) |
IGBT Kurzschluss SOA IGBT |
tpsc |
VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
Isolationsspannung | Schnüren | 1min, f=50Hz |
| 4000 | v |
Junction-Temperatur | Fernsehen |
|
| 175 | °C |
Junction-Betriebstemperatur | Tvj(op) |
| -50 | 150 | °C |
Gehäusetemperatur | tc |
| -50 | 125 | °C |
Lagertemperatur | Tstg |
| -50 | 125 | °C |
Montagedrehmomente | m |
| 4 | 6 |
m |
Mt1 |
| 8 | 10 | ||
Mt2 |
| 2 | 3 |
IGBT Charakteristische Werte
Parameter | Symbol | Bedingungen | Min | Typ | maximal | Einheit | |
Kollektor (- Emitter) Durchbruch Spannung | V(BR)CES | VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C | 1700 |
|
| v | |
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung |
VCEsat | IC =3600A, VGE =15V | Tvj= 25°C |
| 2.5 |
| v |
Tvj=125°C |
| 3.0 |
| v | |||
Tvj=150°C |
| 3.1 |
| v | |||
Kollektorabschaltstrom |
ICES | VCE =1700V, VGE =0V | Tvj= 25°C |
|
| 10 | - Ich weiß. |
Tvj=125°C |
|
| 100 | - Ich weiß. | |||
Tvj=150°C |
| 170 |
| - Ich weiß. | |||
Durchlässigkeit des Tores | IGES | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 |
| 500 | - Nein. | |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung | VGE(th) | IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C | 5.3 |
| 7.3 | v | |
Gate-Ladung | QG | IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V |
| 21.0 |
| μC | |
Eingangskapazität | Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
| 239 |
|
NF | |
Ausgangskapazität | Coes |
| 20.9 |
| |||
Rückwärtsübertragungs-Kapazität | Cres |
| 9.24 |
| |||
Verzögerungszeit der Einleitung |
Die Daten sind nicht verfügbar. |
VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C |
| 1200 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
| 1500 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 1600 |
| ||||
Aufstiegszeit |
Tr | Tvj = 25 °C |
| 1400 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 1600 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 1700 |
| ||||
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
Td (ausgeschaltet) | Tvj = 25 °C |
| 3000 |
|
NS | |
Tvj = 125 °C |
| 3500 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 3700 |
| ||||
Herbstzeit |
Tf | Tvj = 25 °C |
| 500 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 560 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 620 |
| ||||
Energieverlust beim Einschalten |
EON | Tvj = 25 °C |
| 2700 |
|
m | |
Tvj = 125 °C |
| 2900 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 3200 |
| ||||
Energieverlust beim Ausschalten |
EOFF | Tvj = 25 °C |
| 3800 |
|
m | |
Tvj = 125 °C |
| 4100 |
| ||||
Tvj = 150 °C |
| 4400 |
| ||||
Kurzschlussstrom | Schlechte | tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V |
| 10000 |
| a) | |
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