IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die GD1200SGT120A3S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc=80°C

2100

1200

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

2400

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

1200

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

2400

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

7.61

kW

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

n.m.

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=48- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 1200A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc= 1200A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=1200A,

RGon=1.8Ω,RGoff=0.62Ω,vGE=±15V,Tj=25°C

550

NS

tR

Aufstiegszeit

230

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

830

NS

tf

Herbstzeit

160

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

- Ich weiß.

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

- Ich weiß.

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 1200A,- Das ist nicht wahr.

RGon= 1.8Ω,RGoff=0.62Ω,vGE=±15V,Tj=125°C

650

NS

tR

Aufstiegszeit

240

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

970

NS

tf

Herbstzeit

190

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

246

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

189

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

85.5

NF

c- Die

Ausgangskapazität

4.48

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

3.87

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,

vCc=900V, vCEM≤ 1200 V

4800

a)

RGint

Interner Gate

Widerstand

1.9

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

15

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.10

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 1200a

tj=25°C

1.65

2.05

v

tj=125°C

1.65

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf= 1200A,

vR=600V,

RGon=0.6Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

112

μC

tj=125°C

224

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

850

a)

tj=125°C

1070

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

48.0

m

tj=125°C

96.0

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

19.7

K/kW

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

31.3

K/kW

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

8

K/kW

Gewicht

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

1050

G