IGBT-Modul, 1700V 650A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten Anmerkung
- Ich weiß.
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1700 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
Ichc | Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc= 100oc | 1073 650 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 1300 | a) |
pd | Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc | 4.2 | kW |
Diode
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vRRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1700 | v |
Ichf | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 650 | a) |
Ichfm | Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms | 1300 | a) |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | oc |
t- Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | oc |
tstg | LagertemperaturBereich | -40 bis +150 | oc |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute | 4000 | v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc=650A,VGE=15V, tj=25oc |
| 1.90 | 2.35 |
v |
Ichc=650A,VGE=15V, tj=125oc |
| 2.35 |
| |||
Ichc=650A,VGE=15V, tj=150oc |
| 2.45 |
| |||
vGE(Die) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 5.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Nein. |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 2.3 |
| Oh |
c- Nein. | Eingangskapazität | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 72.3 |
| NF |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.75 |
| NF | |
QG | Gate-Ladung | vGE=- 15…+15V |
| 5.66 |
| μC |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=650A,- Das ist nicht wahr.RGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj=25oc |
| 468 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 86 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 850 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 363 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 226 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 161 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=650A,- Das ist nicht wahr.RGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj= 125oc |
| 480 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 110 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1031 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 600 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 338 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 226 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=650A,- Das ist nicht wahr.RGon= 1.8Ω,RGoff=2,7Ω,vGE=±15V,Tj= 150oc |
| 480 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 120 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1040 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 684 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 368 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 242 |
| m | |
IchSc |
SC-Daten | tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V |
|
2600 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf=650A,VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.85 | 2.30 |
v |
Ichf=650A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.98 |
| |||
Ichf=650A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 2.02 |
| |||
QR | Wiederhergestellte Ladung | vR=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc |
| 176 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 765 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 87.4 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vR=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc |
| 292 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 798 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 159 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vR=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc |
| 341 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 805 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 192 |
| m |
NTC Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
R25 | Nennwiderstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Abweichung von R100 | tc= 100 oC, R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | Leistung Ablösung |
|
|
| 20.0 | m |
b25/50 | B-Wert | R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
b25/80 | B-Wert | R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
b25/100 | B-Wert | R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
Ich...c | Streuinduktivität |
| 18 |
| - Nein. |
RCC’+EE’ | ModulleiterwiderstandTerminal an Chip |
| 0.30 |
| mΩ |
RthJC | Junction-to-Case (pro IGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
RthCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
n.m. |
G | Gewicht von Modul |
| 810 |
| G |
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