IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=90oc

900

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

3409

w

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vRRM

Wiederholte SpitzenrückwärtsvoltAlter

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

900

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1800

a)

IchFSM

Spitzenvorwärtsstrom  tp=10ms  @tj=25oc- Ich weiß.@ Tj=150oc

4100

3000

a)

Ich2t

Ich2t-Wert,tp=10ms  @ Tj=25oc

@ Tj=150oc

84000

45000

a)2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolationsspannung  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=900A,VGE=15V, tj=25oc

1.40

1.85

v

Ichc=900A,VGE=15V, tj=125oc

1.60

Ichc=900A,VGE=15V, tj=175oc

1.65

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

51.5

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.36

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

13.6

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=900A,  RG=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V,

tj=25oc

330

NS

tR

Aufstiegszeit

140

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

842

NS

tf

Herbstzeit

84

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

144

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

87.8

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=900A,  RG=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V,

tj=125oc

373

NS

tR

Aufstiegszeit

155

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

915

NS

tf

Herbstzeit

135

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

186

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

104

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=900A,  RG=0.51Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V,

tj=175oc

390

NS

tR

Aufstiegszeit

172

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

950

NS

tf

Herbstzeit

162

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

209

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

114

m

IchSc

SC-Daten

tp≤8μs,VGE=15V,

tj=150oC,VCc=800V, vCEM ≤1200 V

3200

a)

tp≤6μs,VGE=15V,

tj=175oC,VCc=800V, vCEM ≤1200 V

3000

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=900A,VGE=0V,Tj=25oc

1.55

2.00

v

Ichf=900A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

Ichf=900A,VGE=0V,Tj= 175oc

1.55

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=25oc

91.0

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

441

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.3

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=125oc

141

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

493

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

42.5

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tj=175oc

174

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

536

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

52.4

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistung

Ablösung

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B-Wert

R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B-Wert

R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.044

0.076

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

350

G