IGBT-Modul 4500V

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

Min

maximal

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter 集电极-发射极电压

vCES

vGE =0V,TVj ≥25°C

4500

v

DC-Kollektor Strom 集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom)

Ichc

tc =80°C

650

a)

Spitzen-Kollektor Strom 集电极峰值电流

Ichcm

tp=1ms,Tc=80°C

1300

a)

Spannung des Tor-Emitters Gatetreiber-Emitter-Spannung

vGES

-20

20

v

Gesamtzahl Leistungsausfall Gesamtleistungsverlust

ptot

tc =25°C,perswitch(IGBT)

6670

w

DC Vorwärtsstrom Gleichstrom-Vorwärtsstrom

Ichf

650

a)

Spitzen-Vorwärtsstrom 峰值正向电流

IchFRM

TP=1 ms

1300

a)

- Die Welle. Strom Einschaltstrom

IchFSM

vR =0V,TVj =125°C,tp=10ms, Halbwelle

5300

a)

IGBT Kurzschluss SCHALTUNG SOA IGBT Kurzschluss-Sicherheitsarbeitsbereich

tpsc

vCc =3400V,VCEMCHIP≤4500V vGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

Isolationsspannung 绝缘电压

vIsolierung

1min, f=50Hz

10200

v

Junction-Temperatur 结温

tVj

150

°C

Junction-Betriebstemperaturerature Arbeitszeit

tvj(op)

-50

125

°C

Gehäusetemperatur 温

tc

-50

125

°C

Lagertemperatur 

tstg

-50

125

°C

Montagedrehmomente Einrichtungstrom

ms

4

6

m

mt1

8

10

mt2

2

3

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

Min

Typ

maximal

Einheit

Sammler (- Emitter) Durchbruch Spannung

集电极-发射极阻断电压

v(BR)CES

vGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

v

Sättigung des Sammler-Emitters Spannung

集电极-发射极饱和电压

vCEsat

Ichc =650A, vGE =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

v

Tvj=125°C

3.4

3.8

v

Kollektor-Abschaltspannung Strom 集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)

IchCES

vc =4500V, vGE =0V

Tvj= 25°C

10

- Ich weiß.

Tvj=125°C

100

- Ich weiß.

Tor Leckstrom 极漏电流 (极) 极leckstrom

IchGES

vc =0V,VGE =20V, tVj = 125°C

-500

500

- Nein.

Gate-Emitter Schwellenwertspannung Gatetreiber-Emitter-Schwellenwertspannung

vEG (Jahr)

Ichc =160mA,Vc =VGE- Ich weiß. tVj = 25°C

4.5

6.5

v

Tor Gebühr 极电荷

QG

Ichc =650A,Vc = 2800V, vGE =-15V - Ich weiß. 15 V

5.4

μC

Eingangskapazität Input-Kapazität

c- Nein.

vc =25V,VGE =0V,- Ich weiß.f=1MHz,TVj = 25°C

71.4

NF

Ausgangskapazität Ausgangsleistung

c- Die

4.82

Rückwärtsübertragungs-Kapazität Rückwärtsübertragungs-Kapazität

cAufnahme

1.28

Einschaltverzögerung Zeit 开通延迟时间

t(Das ist ein

vCc = 2800V,

Ichc =650A,

RG =2.2Oh - Ich weiß.

vGE =±15V,

Ich...σ=280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Fernsehen =- Ich weiß.25 °c

420

NS

Fernsehen = 125 °c

528

Aufstiegszeit Aufstieg

tR

Fernsehen =- Ich weiß.25 °c

160

Fernsehen = 125 °c

190

Verzögerungszeit für die Abschaltung Ausschaltverzögerung

td(aus)

Fernsehen =- Ich weiß.25 °c

2100

NS

Fernsehen = 125 °c

2970

Herbstzeit - Ich bin nicht sicher.

tf

Fernsehen = 25 °c

1600

Fernsehen = 125 °c

2760

Einschaltsteuerung Energieverlust Einschaltverluste

eauf

Fernsehen = 25 °c

1000

m

Fernsehen =125 °c

1600

Ausschaltsteuerung Energieverlust Ausschaltverluste

eaus

Fernsehen = 25 °c

2000

m

Fernsehen =125 °c

2740

Kurzschluss Strom Kurzschlussstrom

IchSc

tpsc  ≤ 10μs, VGE =15V,- Ich weiß.tvj  = 125°C,VCc = 3400V

3940

a)

Parameter/参数

Symbol/符号

Bedingungen/条件

Min

Typ

maximal

Einheit

Durchlassspannung Vorwärts-Spannung

vf

Ichf =650A

Fernsehen = 25 °c

3.2

v

Fernsehen = 125 °c

3.6

Rückwärts Rückgewinnungsstrom Rückwärts-Wiederherstellungsstrom

IchRR

vCc = 2800V,

Ichc =650A,

RG =2.2Oh - Ich weiß.

vGE =±15V,

Ich...σ=280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Fernsehen = 25 °c

1200

a)

Fernsehen = 125 °c

1300

a)

Wiederhergestellte Ladung 恢复电荷

QRR

Fernsehen = 25 °c

450

μC

Fernsehen = 125 °c

550

μC

Rückwärts Erholungszeit Rückwärts-Wiederherstellungszeit

tRR

Fernsehen = 25 °c

660

NS

Fernsehen = 125 °c

750

Rückwärts Energiewiederherstellung Rückwärts-Wiederherstellungsenergie

eErklärungen

Fernsehen =25 °c

720

m

Fernsehen = 125 °c

860