IGBT-Modul, 3300V 400A
Merkmale
●SPT+Chip-Set für niedriges Schalten verluste |
●niedrig vCEsat |
●Niedrigfahrt Leistung |
●AlSiC Grundplatte für hohe Leistung czyklische Fähigkeity |
●AlN-Substrat für geringe Wärme Widerstand |
typischAnwendung
●Zugantriebe |
●Gleichstromwandler |
●MittelspannungUmwandler |
Maximale Nennwerte
Parameter | Symbol | Bedingungen | Min | maximal | Einheit |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter | VCES | VGE =0V,Tvj ≥25°C |
| 3300 | v |
DC Kollektorstrom | - Ich weiß. | TC =80°C |
| 400 | a) |
Spitzenstrom des Kollektors | ICM | tp=1ms,Tc=80°C |
| 800 | a) |
Spannung des Tor-Emitters | VGES |
| -20 | 20 | v |
Gesamtleistungsverlust | Ptot | TC =25°C, pro Schalter (IGBT) |
| 7100 | w |
DC Vorwärtsstrom | Wenn |
|
| 400 | a) |
Spitzen-Vorwärtsstrom | IFRM | TP=1 ms |
| 800 | a) |
Stromstoß | IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halbsinusschwingung |
| 3000 | a) |
IGBT Kurzschluss SOA | tpsc | Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel. |
| 10 | μs |
Isolationsspannung | Schnüren | 1min, f=50Hz |
| 10200 | v |
Junction-Temperatur | Fernsehen |
|
| 150 | °C |
Junction-Betriebstemperatur | Tvj(op) |
| -50 | 150 | °C |
Gehäusetemperatur | tc |
| -50 | 125 | °C |
Lagertemperatur | Tstg |
| -50 | 125 | °C |
Montagedrehmomente | m | Basis-Heizwasserbereiter- Ich weiß.Schrauben für M6 | 4 | 6 |
m |
Mt1 | Hauptterminals- Ich weiß.Schrauben für M8 | 8 | 10 |
IGBT Charakteristische Werte
Parameter | Symbol | Bedingungen | Min | Typ | maximal | Einheit | |
Abbruchspannung des Kollektors (Emittors) | V(BR)CES | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | 3300 |
|
| v | |
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung | VCEsat | Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen. | Tvj= 25°C |
| 3.0 |
| v |
Tvj=125°C |
| 3.6 |
| v | |||
Kollektorabschaltstrom | ICES | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | Tvj= 25°C |
|
| 5 | - Ich weiß. |
Tvj=125°C |
|
| 50 | - Ich weiß. | |||
Durchlässigkeit des Tores | IGES | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 |
| 500 | - Nein. | |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung | VGE(th) | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | 5.5 |
| 7.5 | v | |
Gate-Ladung | QG | Die Leistung wird durch die Anlage des Geräts ermittelt. |
| 4.0 |
| μC | |
Eingangskapazität | Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
| 65 |
|
NF | |
Ausgangskapazität | Coes |
| 3.7 |
| |||
Rückwärtsübertragungs-Kapazität | Cres |
| 0.8 |
| |||
Verzögerungszeit der Einleitung | Die Daten sind nicht verfügbar. |
VCC = 1800 V, IC = 400A, RG = 2,3Ω, VGE = ± 15 V, Lσ=280nH, 感性负载 (gefühlsmäßige Belastung) | Tvj = 25 °C |
| 650 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
| 750 |
| ||||
Aufstiegszeit | Tr | Tvj = 25 °C |
| 400 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 470 |
| ||||
Verzögerungszeit für die Abschaltung | Td (ausgeschaltet) | Tvj = 25 °C |
| 1600 |
|
NS | |
Tvj = 125 °C |
| 1800 |
| ||||
Herbstzeit | Tf | Tvj = 25 °C |
| 1100 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 1200 |
| ||||
Energieverlust beim Einschalten | EON | Tvj = 25 °C |
| 1400 |
| m | |
Tvj = 125 °C |
| 1800 |
| ||||
Energieverlust beim Ausschalten | EOFF | Tvj = 25 °C |
| 1300 |
| m | |
Tvj = 125 °C |
| 1700 |
| ||||
Kurzschlussstrom | Schlechte | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
| 2500 |
| a) |
Diodencharakteristikwerte
Parameter | Symbol | Bedingungen | Min | Typ | maximal | Einheit | |
Durchlassspannung | VF | IF = 400A | Tvj = 25 °C |
| 2.3 | 2.6 | v |
Tvj = 125 °C |
| 2.35 | 2.6 | ||||
Rückwärts-Rückgewinnungsstrom | Einfach |
VCC = 1800 V, IC = 400A, RG = 2,3Ω, VGE = ± 15 V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C |
| 900 |
| a) |
Tvj = 125 °C |
| 1000 |
| ||||
Wiederhergestellte Ladung | Qrr | Tvj = 25 °C |
| 700 |
| μC | |
Tvj = 125 °C |
| 1000 |
| ||||
Rückwärts-Rückgewinnungszeit | trr | Tvj = 25 °C |
| 850 |
| NS | |
Tvj = 125 °C |
| 2200 |
| ||||
Rückwärtsrekuperationsenergie | Erek | Tvj = 25 °C |
| 850 |
| m | |
Tvj = 125 °C |
| 1300 |
|
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