IGBT-Modul 1700V

(Symbol)

 (Parameter)

(Prüfbedingungen)

 (Wert)

(Einheit)

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

v

V GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Sammler-Emitterstrom

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

a)

I C ((PK)

Spitzenstrom des Kollektors

tP = 1 ms

4800

a)

P max

- Maximal. Transistor-Leistungsdissipation

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

kW

1t

 Diode I2t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung pro Modul

 (Gemeinsame Anschlüsse zur Grundplatte),

AC RMS,1 min, 50Hz

4000

v

Q PD

Teilweise Entladung pro Modul

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

PC

Tcase = 25 °C  T case  = 25°C, sofern nicht anders angegeben

(Symbol)

 (Parameter)

(Prüfbedingungen)

(min)

 (Typ)

 (Max)

 (Einheit)

I CES

Sammler-Abschlusstrom

V GE = 0V, VCE  = VCES

1

- Ich weiß.

V GE = 0V, VCE  = VCES , T case =125 °C

40

- Ich weiß.

V GE = 0V, VCE  = VCES , T case =150 °C

60

- Ich weiß.

I GES

Durchlässigkeit des Tores

V GE = ±20V, VCE  = 0V

1

μA

V GE (TH)

Schrankschwellenspannung

I C = 80mA, V GE  = VCE

5.0

6.0

7.0

v

VCE (Sat)

 Kollektor-Emitter-Sättigung

Spannung

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

v

I F

Diodenvorwärtsstrom

dc

2400

a)

I FRM

Diode maximale Vorwärtsstrom

t P = 1ms

4800

a)

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

IF = 2400A

1.65

v

IF = 2400A, Tvj = 125 °C

1.75

v

IF = 2400A, Tvj = 150 °C

1.75

v

Cies

Eingangskapazität

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

400

NF

QG

 Gate-Ladung

±15V

19

μC

Cres

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

3

NF

L M

Modulinduktivität

10

- Nein.

R INT

Interne Transistorwiderstand

110

μΩ

I SC

Kurzschlussstrom, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

a)

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

NS

t f

Herbstzeit

500

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

1050

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

450

NS

Tr

Aufstiegszeit

210

NS

EON

Einschaltenergieverlust

410

m

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

480

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1000

a)

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

320

m

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

NS

t f

Herbstzeit

510

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

1320

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

450

NS

Tr

Aufstiegszeit

220

NS

EON

Einschaltenergieverlust

660

m

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =10000A/us

750

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1200

a)

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

550

m

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C = 2400A

VCE = 900V

L S ~ 50nH

V GE = ±15V

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

NS

t f

Herbstzeit

510

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

1400

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

450

NS

Tr

 Anstiegszeit

220

NS

EON

Einschaltenergieverlust

820

m

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 2400A

VCE = 900V

diF/dt =12000A/us

820

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1250

a)

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

620

m