YMIF1000-33,IGBT-Modul,3300V 1000A

YMIF1000-33,IGBT-Modul, 3300V 1000A

IGBT-Modul，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 geändert.

Schlüssel Parameter

typische Anwendungen

typische Anwendungen

Absolute Höchstbewertung

(Symbol)	(Parameter)	(Prüfbedingungen)	(Wert)	(Einheit)
VCES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.	3300	v
VGES	Spannung des Tor-Emitters	TC= 25 °C	± 20	v
I C	Sammler-Emitterstrom	TC = 95 °C	1000	a)
IC(PK)	Spitzenstrom des Kollektors	t P= 1ms	2000	a)
P max	Max. Transistorenleistungsabbau	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	kW
1t	Diode I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Schnüren	Isolationsspannung pro Modul	Gemeinsame Anschlüsse zur Grundplatte), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	v
Q PD	Teilweise Entladung pro Modul	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	PC

Elektrische Eigenschaften

(Symbol)		(Parameter)	(Prüfbedingungen)	(min)	(typisch)	(maximal)	(Einheit)
I CES		Sammler-Abschlusstrom	VGE = 0V,VCE = VCES			1	- Ich weiß.
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	- Ich weiß.
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	- Ich weiß.
I GES		Durchlässigkeit des Tores	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	μA
VGE (TH)		Schrankschwellenspannung	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
VCE	(*1) (sat)	Sättigung des Sammler-Emitters Spannung	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	v
I F		Diodenvorwärtsstrom	dc		1000		a)
I FRM		Diode maximale Vorwärtsstrom	t P = 1ms		2000		a)
VF(*1)		Diodenvorwärtsspannung	I F= 1000A		2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	v
C ies		Eingangskapazität	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		NF
Q g		Gate-Ladung	±15V		17		μC
C res		Rückwärtsübertragungs-Kapazität	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		NF
L M		Modulinduktivität			15		- Nein.
R INT		Interne Transistorwiderstand			165		μΩ
I SC		Kurzschlussstrom, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		a)

Td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	NS
t f	Fallzeit		530	NS
E OFF	Energieverlust bei Abschaltung		1600	m
Die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		680	NS
t r	Aufstiegszeit		320	NS
EON	Einschaltenergieverlust		1240	m
Q rr	Diode Rückwärtswiederherstellungsladung	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	780	μC
I rr	Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom		810	a)
E rec	Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie		980	m
Td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	NS
t f	Herbstzeit		580	NS
E OFF	Energieverlust bei Abschaltung		1950	m
Die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		660	NS
t r	Aufstiegszeit		340	NS
EON	Einschaltenergieverlust		1600	m
Q rr	Diode Rückwärtswiederherstellungsladung	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	1200	μC
I rr	Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	930	a)