IGBT-Modul 3300V

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Wert)

(Einheit)

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v

V GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Sammler-Emitterstrom

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

a)

I C ((PK)

Spitzenstrom des Kollektors

1 ms, T-Fall = 140 °C

1000

a)

P max

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kW

1t

Diode I t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung pro Modul

 Gemeinsame Anschlüsse zur Grundplatte),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

v

Q PD

Teilweise Entladung pro Modul

Die Größe der Verpackung ist: Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

10

PC

tFall = 25 °c- Ich weiß.t Fall- Ich weiß.= 25°c es sei denn angegeben Ansonsten

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min)

(Typ)

(maximal)

(Einheit)

Ich CES

Sammler-Abschlusstrom

v GE = 0V, vc- Ich weiß.= vCES

1

- Ich weiß.

v GE = 0V, vc- Ich weiß.= vCES - Ich weiß. t Fall = 125 °C

30

- Ich weiß.

v GE = 0V, vc- Ich weiß.=vCES - Ich weiß. t Fall =150 °C

50

- Ich weiß.

Ich GES

Leckage durch das Tor Strom

v GE = ±20V, vc- Ich weiß.= 0V

1

μA

v GE (TH)

Schrankschwellenspannung

Ich c = 40- Ich weiß.- Ich weiß. v GE =vc

5.50

6.10

7.00

v

vc (gesetzt)(b)

Sättigung des Sammler-Emitters Spannung

v GE =15V,Ich C  = 500a

2.40

2.90

v

v GE =15V,Ich c- Ich weiß.= 500 A,tVj = 125 °c

2.95

3.40

v

v GE =15V,Ich c- Ich weiß.= 500 A,tVj = 150 °c

3.10

3.60

v

Ich f

Diodenvorwärtsstrom

dc

500

a)

Ich FRM

Diode maximal nach vorne Strom

t p = 1 ms

1000

a)

vf(b)

Diodenvorwärtsspannung

Ich f = 500a

2.10

2.60

v

Ich f = 500 A, tVj- Ich weiß.= 125 °C

2.25

2.70

v

Ich f = 500 A, tVj- Ich weiß.= 150 °C

2.25

2.70

v

c- Nein.

Eingangskapazität

vc = 25 V, v GE- Ich weiß.= 0V,f = 1MZ

90

NF

QG

Gate-Ladung

±15V

9

μC

cAufnahme

UmkehrübertragungsfähigkeitZitat

vc = 25 V, v GE- Ich weiß.= 0V,f = 1MZ

2

NF

Ich... m

Modul Induktivität

25

- Nein.

R In

Interne Transistorwiderstand

310

μΩ

Ich Sc

Kurzschluss Strom IchSc

tVj = 150°C, v Cc = 2500 V, v GE ≤15 V,tp ≤10μs,

vc(maximal) = vCES –Ich... (b) ×Die- Ich weiß.dt- Ich weiß.IEC 6074-9

1800

a)

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

L ~ 150nH

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1720

NS

t f

Herbstzeit

520

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

780

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

650

NS

Tr

Aufstiegszeit

260

NS

EON

Einschaltenergieverlust

730

m

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 500A

VCE =1800V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

390

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

420

a)

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

480

m

(Symbol)

 (Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min)

(typisch)

 (Max)

(Einheit)

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1860

NS

t f

Herbstzeit

550

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

900

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

630

NS

Tr

AufstiegAufstiegszeit

280

NS

EON

Einschaltenergieverlust

880

m

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 500A

VCE =1800V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

620

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

460

a)

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

760

m

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min)

 (Typ)

 (Max)

(Einheit)

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1920

NS

t f

 Fallzeit

560

NS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

1020

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

620

NS

Tr

 Anstiegszeit

280

NS

EON

Einschaltenergieverlust

930

m

Qrr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 500A

VCE =1800V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

720

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

490

a)

Erek

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

900

m