IGBT-Modul 1700V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Wert

 Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

1700

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

TC= 25 °C

± 20

v

- Ich weiß.

Sammler-Emitterstrom

TC = 65 °C

1400

a)

IC(PK)

集电极峰值电流

Spitzenstrom des Kollektors

TP=1 ms

2800

a)

Pmax

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

6.25

kW

1 t

Diode I2t

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

145

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung - pro Modul

 Gemeinsame Anschlüsse zur Basisplatte),  AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

 Typ.

- Maximal.

 Einheit

ICES

Sammler-Abschlusstrom

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

1

- Ich weiß.

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

20

- Ich weiß.

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

30

- Ich weiß.

IGES

Durchlässigkeit des Tores

Die Prüfungen sind in Anhang I Abschnitt 3 zu prüfen.

0.5

μA

VGE (TH)

Schrankschwellenspannung

IC = 30mA, VGE  = VCE

5.00

6.00

7.00

v

VCE (Sat)

Sättigung des Sammler-Emitters Spannung

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

v

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

v

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

v

Wenn

Diodenvorwärtsstrom

dc

1400

a)

IFRM

Dioden-Spitzenvorwärtsstrom

tP = 1 ms

2800

a)

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj  = 125 °C

1.95

2.30

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj  = 150 °C

2.00

2.40

v

Schlechte

Kurzschlussstrom

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

5400

a)

Cies

Input-Kapazität

Eingangskapazität

VCE = 25V, VGE  = 0V, f = 100kHz

113

NF

QG

Gate-Ladung

±15V

11.7

μC

Cres

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

VCE = 25V, VGE  = 0V, f = 100kHz

3.1

NF

Ich bin

Modulinduktivität

10

- Nein.

RINT

Interne Transistorwiderstand

0.2

mΩ

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE =  ±15V,   RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

NS

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

Tf

- Ich bin nicht sicher.Herbstzeit

Tvj= 25 °C

460

NS

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

Energieverlust bei Abschaltung

Tvj= 25 °C

460

m

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE =  ±15V,  RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

NS

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

Tr

Aufstiegszeit

Tvj= 25 °C

112

NS

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

Einschaltenergieverlust

Tvj= 25 °C

480

m

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

 Diodenrückwärts

Einziehungsgebühr

IF =1400A,   VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Einfach

 Diodenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

Tvj= 25 °C

790

a)

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erek

 Diodenrückwärts

Energiewiederherstellung

Tvj= 25 °C

190

m

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290