GD900SGY120C2S, IGBT-Modul, 1200V 900A, Starter

IGBT-Modul, 1200V 900A

Brand:

Stärken

Spu:

GD900SGY120C2S

Merkmale

typisch Anwendungen

Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

- Ich weiß.

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
vCES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	v
vGES	Spannung des Tor-Emitters	± 20	v
Ichc	Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc= 100oc	1410 900	a)
Ichcm	Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms	1800	a)
pd	Maximale Leistungsabgabe @ T =175oc	5000	w

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
vRRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung	1200	v
Ichf	Diode kontinuierlich vorwärtsrent	900	a)
Ichfm	Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms	1800	a)

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
tjmax	Maximale Junction-Temperatur	175	oc
t- Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	oc
tstg	LagertemperaturBereich	-40 bis +125	oc
vIso	Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min	4000	v

- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	- Maximal.	Einheit
vCE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	Ichc=900A,VGE=15V, tj=25oc		1.80	2.25	v
		Ichc=900A,VGE=15V, tj=125oc		2.10
		Ichc=900A,VGE=15V, tj=150oc		2.15
vGE(Die)	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	Ichc=22.5- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc	5.2	6.0	6.8	v
IchCES	Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom	vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc			5.0	- Ich weiß.
IchGES	Gate-Emitter-Leckstrom Strom	vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc			400	- Nein.
RGint	Interner Gate-Widerstand			0.6		Oh
QG	Gate-Ladung	vGE=- 15V...+15V		7.40		μC
td(auf)	Verzögerungszeit der Einleitung	vCc=600V,Ic=900A,- Das ist nicht wahr. RGon= 1.5Ω,RGoff=0.9Ω,vGE=±15V,Tj=25oc		257		NS
tR	Aufstiegszeit			96		NS
td(aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			628		NS
tf	Herbstzeit			103		NS
eauf	Einschalten Wechseln Verlust			43		m
eaus	Ausschaltsteuerung Verlust			82		m
td(auf)	Verzögerungszeit der Einleitung	vCc=600V,Ic=900A,- Das ist nicht wahr. RGon= 1.5Ω,RGoff=0.9Ω, vGE=±15V,Tj= 125oc		268		NS
tR	Aufstiegszeit			107		NS
td(aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			659		NS
tf	Herbstzeit			144		NS
eauf	Einschalten Wechseln Verlust			59		m
eaus	Ausschaltsteuerung Verlust			118		m
td(auf)	Verzögerungszeit der Einleitung	vCc=600V,Ic=900A,- Das ist nicht wahr. RGon= 1.5Ω,RGoff=0.9Ω, vGE=±15V,Tj= 150oc		278		NS
tR	Aufstiegszeit			118		NS
td(aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			680		NS
tf	Herbstzeit			155		NS
eauf	Einschalten Wechseln Verlust			64		m
eaus	Ausschaltsteuerung Verlust			134		m
IchSc	SC-Daten	tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V		3600		a)

Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	- Maximal.	Einheit
vf	Diodenvorwärts Spannung	Ichf=900A,VGE=0V,Tj=25oc		1.71	2.16	v
		Ichf=900A,VGE=0V,Tj= 125oc		1.74
		Ichf=900A,VGE=0V,Tj= 150oc		1.75
QR	Wiederhergestellte Ladung	vR=600V,If=900A, -di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc		76		μC
IchRm	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			513		a)
eErklärungen	RückwärtswiederherstellungEnergie			38.0		m
QR	Wiederhergestellte Ladung	vR=600V,If=900A, -di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc		143		μC
IchRm	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			684		a)
eErklärungen	RückwärtswiederherstellungEnergie			71.3		m
QR	Wiederhergestellte Ladung	vR=600V,If=900A, -di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc		171		μC
IchRm	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			713		a)
eErklärungen	RückwärtswiederherstellungEnergie			80.8		m

Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	- Maximal.	Einheit
Ich...c	Streuinduktivität			20	- Nein.
RCC’+EE’	ModulleiterwiderstandTerminal an Chip		0.18		mΩ
RthJC	Junction-to-Case (pro IGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel			0.030 0.052	K/W
RthCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)		0.016 0.027 0.010		K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6	2.5 3.0		5.0 5.0	n.m.
G	Gewicht von Modul		300		G