IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

1350

900

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=150oc

7.40

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

900

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=800A,VGE=15V, tj=25oc

2.90

3.35

v

Ichc=800A,VGE=15V, tj=125oc

3.60

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.0

6.1

7.0

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

53.1

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

3.40

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

8.56

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1.3Ω,

vGE=±15V,tj=25oc

90

NS

tR

Aufstiegszeit

81

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

tf

Herbstzeit

55

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

36.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

41.3

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1.3Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

115

NS

tR

Aufstiegszeit

92

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

tf

Herbstzeit

66

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

52.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

59.4

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=125oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

5200

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=800A,VGE=0V,Tj=25oc

1.95

2.40

v

Ichf=800A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.95

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15V, tj=25oc

56

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

550

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

38.7

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15V, tj= 125oc

148

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

920

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

91.8

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

12

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

0.19

mΩ

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

16.9

26.2

K/kW

Rθcss

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

19.7

30.6

K/kW

Rθcss

Gehäuse zu Sink

6.0

K/kW

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube m6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

n.m.

G

Gewicht von Modul

1500

G