IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD800SGT120C3S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc=80°C

1350

800

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

1600

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

@ Tc=80°C

800

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

4.44

kW

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

n.m.

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=32- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=800A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc=800A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A, 

RGon=3.6Ω,

RGoff=0.91Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

250

NS

tR

Aufstiegszeit

190

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

90

NS

tf

Herbstzeit

130

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

58.1

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

85.4

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A, RGon=3.6Ω,

RGoff=0.91Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

260

NS

tR

Aufstiegszeit

200

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

810

NS

tf

Herbstzeit

210

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

85.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

126

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

57.7

NF

c- Die

Ausgangskapazität

3.02

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

2.62

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,vCc=900V, 

vCEM≤ 1200 V

3200

a)

QG

Gate-Ladung

vCc=600V,Ic=800A, vGE=-15 - Ich...+15V

7.4

μC

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.78

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

15

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.10

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=800A

tj=25°C

1.65

2.10

v

tj= 125°C

1.65

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf=800A,

vR=600V,

RG=3.6Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

48.6

μC

tj=125°C

91.2

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

340

a)

tj=125°C

440

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

21.8

m

tj=125°C

41.3

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

33.8

K/kW

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

57.4

K/kW

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

1500

G