IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1250

800

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1 ms

1600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

4166

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

800

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1600

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=800A,VGE= 15 V,tj=25oc

1.70

2.15

v

Ichc=800A,VGE= 15 V,tj=125oc

1.95

Ichc=800A,VGE= 15 V,tj=150oc

2.00

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=32.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.0

5.7

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.13

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=30V, f=1MHz,

vGE=0V

79.2

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

2.40

NF

QG

Gate-Ladung

vGE= 15 V

4.80

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1.0Ω,

vGE=±15V,tj=25oc

408

NS

tR

Aufstiegszeit

119

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

573

NS

tf

Herbstzeit

135

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

21.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

72.4

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1.0Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

409

NS

tR

Aufstiegszeit

120

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

632

NS

tf

Herbstzeit

188

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

26.4

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

107

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1.0Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

410

NS

tR

Aufstiegszeit

123

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

638

NS

tf

Herbstzeit

198

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

28.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

112

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE= 15 V,

tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

3200

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=800A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=800A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

Ichf=800A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.85

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,

vGE=- 15 Vtj=25oc

81.0

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

518

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

39.4

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,

vGE=- 15 V tj= 125oc

136

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

646

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

65.2

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc

155

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

684

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

76.6

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

0.18

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.036

0.048

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.123

0.163

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G