IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD800HFL120C3S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1250

a)

800

IchCM(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1 ms

1600

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

800

a)

Ichfm

Diode maximale Vorwärtsstrom

1600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @tj=150°C

4310

w

tSc

Kurzschlussfestigkeitszeit    @ Tj=125°C

10

μs

tj

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

Ich2t-Wert, Diode

vR=0V, t=10ms, Tj=125°C

140

Ka2s

vIso

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.7 bis 2.3

8.0 bis 10

n.m.

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

BV CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vEG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=32mA,Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=800A,VGE=15V, tj=25°C

1.8

v

Ichc=800A,VGE=15V, tj=125°C

2.0

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

QGE

Gate-Ladung

Ichc=800A,Vc=600V,

vGE=-15…+15V

11.5

μC

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A,

RGon=3.3Ω,

RGoff=0.39Ω,

vGE =±15V,Tj=25°C

600

NS

tR

Aufstiegszeit

230

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

820

NS

tf

Herbstzeit

150

NS

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A,

RGon=3.3Ω,

RGoff=0.39Ω,

vGE =±15V,Tj=125°C

660

NS

tR

Aufstiegszeit

220

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

960

NS

tf

Herbstzeit

180

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

160

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

125

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

61.8

NF

c- Die

Ausgangskapazität

4.2

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

2.7

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,- Ich weiß.tj=125°C- Ich weiß.

vCc=900V, vCEM ≤1200 V

3760

a)

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE’

Modulanschlusswiderstandc) Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.18

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=800A

tj=25°C

2.4

v

tj=125°C

2.2

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

Ichf=800A,

vR=600V,

di/dt=-3600A/μs, vGE=-15V

tj=25°C

37

μC

tj=125°C

90

IchRm

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

260

a)

tj=125°C

400

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

9

m

tj=125°C

24

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, pro 1/2 Modul)

0.029

K/W

RθJC

Junction-to-Case (Diode-Teil, pro 1/2 Modul)

0.052

K/W

RθCS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, pro Modul)

0.006

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

G