IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=100oc

800

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ TVj=175oc

4687

w

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vRRM

Wiederholte SpitzenrückwärtsvoltAlter

1200

v

Ichf

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent

900

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1800

a)

IchFSM

Spitzenvorwärtsstrom  tp=10ms  @ TVj=125oc @ TVj=175oc

2392

2448

a)

Ich2t

Ich2t-Wert- Ich weiß.tp=10m@tVj=125oc@ TVj=175oc

28608

29964

a)2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tvjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

tvjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolationsspannung  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ichc=800A,VGE=15V, tVj=25oc

1.40

1.85

v

Ichc=800A,VGE=15V, tVj=125oc

1.60

Ichc=800A,VGE=15V, tVj=175oc

1.60

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tVj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.ausStrom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tVj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tVj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

28.4

NF

cAufnahme

Rückübertragungs- Kapazität

0.15

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

2.05

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A, RG=0.5Ω, Ls=40nH, vGE=-8V/+15V,

tVj=25oc

168

NS

tR

Aufstiegszeit

78

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

428

NS

tf

Herbstzeit

123

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

43.4

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

77.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A, 

RG=0.5Ω, Ls=40nH,

 vGE=-8V/+15V,

tVj=125oc

172

NS

tR

Aufstiegszeit

84

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

502

NS

tf

Herbstzeit

206

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

86.3

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

99.1

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A,

 RG=0.5Ω, Ls=40nH, 

vGE=-8V/+15V,

tVj=175oc

174

NS

tR

Aufstiegszeit

90

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

531

NS

tf

Herbstzeit

257

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

99.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

105

m

IchSc

SC-Daten

tp≤8μs,vGE=15V,

tVj=150oC,

vCc=800V, vCEM ≤1200 V

2600

a)

tp≤6μs,vGE=15V,

tVj=175oC,

vCc=800V, vCEM ≤1200 V

2500

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts Spannung

Ichf=900A,VGE=0V,TVj=25oc

1.60

2.00

v

Ichf=900A,VGE=0V,TVj=125oc

1.60

Ichf=900A,VGE=0V,TVj=175oc

1.50

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=800A,

-di/dt=7778A/μs,VGE=-8V,Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tVj=25oc

47.7

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

400

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.6

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=800A,

-di/dt=7017A/μs,VGE=-8V,Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tVj=125oc

82.7

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

401

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.5

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=800A,

-di/dt=6380A/μs,VGE=-8V,Ich...s=40- Nein.- Ich weiß.tVj=175oc

110

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

413

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.8

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistung

Ablösung

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B-Wert

R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B-Wert

R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))]

3433

k