IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD630HFL120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

945

a)

630

Ichcm(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

1260

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

@ Tc=80°C

630

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

1260

a)

pd

Maximalleistung Ablösung @ Tj= 150°C

4167

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M6

Montage Schraube:M6

2,5 bis 5.0

3,0 bis 5.0

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 630A,VGE=15V, tj=25°C

2.35

2.80

v

Ichc= 630A,VGE=15V, tj= 125°C

2.73

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 630A,  RG= 2,5Ω,VGE=±15 V, tj=25°C

210

NS

tR

Aufstiegszeit

102

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

600

NS

tf

Herbstzeit

80

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

75.2

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

37.8

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 630A,  RG= 2,5Ω,VGE=±15 V, tj= 125°C

230

NS

tR

Aufstiegszeit

103

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

705

NS

tf

Herbstzeit

103

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

102.9

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

63.0

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

29.7

NF

c- Die

Ausgangskapazität

2.08

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.36

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj= 125°C,VCc=600V, 

vCEM≤1200 V

1800

a)

RGint

Interne Gate-Widerstandstance

0.5

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

18

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstandc) Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.32

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 630A

tj=25°C

2.00

2.40

v

tj= 125°C

2.20

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf= 630A,

vR=600V,

RG= 2,5Ω,

vGE=- 15 V

tj=25°C

80

μC

tj= 125°C

130

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

336

a)

tj= 125°C

433

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

24.4

m

tj= 125°C

49.6

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Verbindungen zu Fällen (pro IG)BT)

0.030

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.048

K/W

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

340

G