IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=70oc

830

600

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1200

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=150oc

4032

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

600

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1200

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25oc

2.90

3.35

v

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=125oc

3.60

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=6.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.0

5.8

6.6

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.25

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

39.0

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

2.55

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

6.30

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG= 1. 1Ω,

vGE=±15V,tj=25oc

205

NS

tR

Aufstiegszeit

50

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

265

NS

tf

Herbstzeit

140

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

50.4

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

20.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG= 1. 1Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

210

NS

tR

Aufstiegszeit

55

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

275

NS

tf

Herbstzeit

175

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

66.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

28.9

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=125oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

3900

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj=25oc

2.25

2.70

v

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 125oc

2.35

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt= 12kA/μs,VGE=±15V,tj=25oc

42.0

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

492

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

16.6

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt= 12kA/μs,VGE=±15V, tj= 125oc

80.4

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

672

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

37.9

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

0.18

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.031

0.070

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.051

0.114

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G