IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

GD600SGT120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc=80°C

950

600

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

1200

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

@ Tc=80°C

600

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1200

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

3333

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M4

Schraube für die Antriebsspitze:M6

1.1 bis 2.0

2,5 bis 5.0

n.m.

Montageschraube:M6

3,0 bis 5.0

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=125°C

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG= 1.2Ω,

vGE=±15V,tj=25°C

252

NS

tR

Aufstiegszeit

88

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

560

NS

tf

Herbstzeit

131

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

33.1

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

57.8

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG= 1.2Ω,

vGE=±15V,tj=125°C

298

NS

tR

Aufstiegszeit

102

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

648

NS

tf

Herbstzeit

179

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

50.2

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

87.8

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

32.3

NF

c- Die

Ausgangskapazität

1.69

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.46

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V

2400

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.3

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=600A

tj=25°C

1.65

2.10

v

tj=125°C

1.65

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf= 600A,

vR=600V,

RG= 1.2Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

60.3

μC

tj=125°C

114

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

415

a)

tj=125°C

543

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

28.1

m

tj=125°C

51.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

0.045

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.080

K/W

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

300

G