IGBT-Modul, 1200 V 600 A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
IchCN | Implementierter Sammler Current | 600 | a) |
Ichc | Kollektorstrom @ Tf= 85oc | 450 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 1200 | a) |
pd | Maximale Leistungsauslagerung- die @tf= 75oc tj=175oc | 970 | w |
Diode
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
vRRM | Wiederholungspegel umgekehrter SpannungGE | 1200 | v |
Ich- Die | Implementierter Sammler Current | 600 | a) |
Ichf | Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent | 450 | a) |
Ichfm | Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms | 1200 | a) |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | oc |
t- Was ist los? | Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10er innerhalb eines Zeitraums30er Jahre, Vorfallmaximal 3000 Mal über die LebensdauerIch bin es. | -40 bis +150- Ich weiß. +150 bis +175 | oc |
tstg | Lagertemperaturbereich | -40 bis +125 | oc |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 2500 | v |
dSchrei | Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal | 9.0 9.0 | mm |
dKlar | Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal | 4.5 4.5 | mm |
- Ich weiß.
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
IchCN | Implementierter Sammler Current | 600 | a) |
Ichc | Kollektorstrom @ Tf= 85oc | 450 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 1200 | a) |
pd | Maximale Leistungsauslagerung- die @tf= 75oc tj=175oc | 970 | w |
Diode
Symbol | Beschreibung | Werte | Einheit |
vRRM | Wiederholungspegel umgekehrter SpannungGE | 1200 | v |
Ich- Die | Implementierter Sammler Current | 600 | a) |
Ichf | Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent | 450 | a) |
Ichfm | Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms | 1200 | a) |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | oc |
t- Was ist los? | Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10er innerhalb eines Zeitraums30er Jahre, Vorfallmaximal 3000 Mal über die LebensdauerIch bin es. | -40 bis +150- Ich weiß. +150 bis +175 | oc |
tstg | Lagertemperaturbereich | -40 bis +125 | oc |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 2500 | v |
dSchrei | Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal | 9.0 9.0 | mm |
dKlar | Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal | 4.5 4.5 | mm |
- Ich weiß. Eigenschaften tf=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25oc |
| 1.40 |
|
v |
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=150oc |
| 1.65 |
| |||
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=175oc |
| 1.70 |
| |||
Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25oc |
| 1.60 |
| |||
Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=150oc |
| 1.90 |
| |||
Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=175oc |
| 2.00 |
| |||
vGE(Die) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc= 15,6- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc |
| 6.4 |
| v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.ausStrom | vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 1.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Nein. |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 1.67 |
| Oh |
c- Nein. | Eingangskapazität |
vc=25V,f=100kHz, vGE=0V |
| 81.2 |
| NF |
c- Die | Ausgangskapazität |
| 1.56 |
| NF | |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 0.53 |
| NF | |
QG | Gate-Ladung | vc =600V,Ic =600A, VGE=-8...+15V |
| 5.34 |
| μC |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A, RGon=1,0Ω,RGoff= 2,2Ω, Ich...s=22nH, vGE=-8V/+15V, tj=25oc |
| 290 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 81 |
| NS | |
td ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 895 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 87 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 53.5 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 47.5 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A, RGon=1,0Ω,RGoff= 2,2Ω, Ich...s=22nH, vGE=-8V/+15V, tj=150oc |
| 322 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 103 |
| NS | |
td ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1017 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 171 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 84.2 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 63.7 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A, RGon=1,0Ω,RGoff= 2,2Ω, Ich...s=22nH, vGE=-8V/+15V, tj=175oc |
| 334 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 104 |
| NS | |
td ((aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 1048 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 187 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 89.8 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 65.4 |
| m | |
IchSc | SC-Daten | tp≤6μs,vGE=15V, tj=175oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V |
| 2000 |
| a) |
Diode Eigenschaften tf=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vf |
Diodenvorwärts Spannung | Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.80 |
|
v |
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 150oc |
| 1.75 |
| |||
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 175oc |
| 1.70 |
| |||
Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.95 |
| |||
Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 150oc |
| 1.95 |
| |||
Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 175oc |
| 1.90 |
| |||
QR | Wiederhergestellte Ladung |
vR=600V,If= 600A, -di/dt=7040A/μs,VGE= 8V Ich...s= 22- Nein.- Ich weiß.tj=25oc |
| 22.5 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 304 |
| a) | |
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 10.8 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung |
vR=600V,If= 600A, -di/dt=5790A/μs,VGE= 8V Ich...s= 22- Nein.- Ich weiß.tj=150oc |
| 46.6 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 336 |
| a) | |
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 18.2 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung |
vR=600V,If= 600A, -di/dt=5520A/μs,VGE= 8V Ich...s= 22- Nein.- Ich weiß.tj=175oc |
| 49.8 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 346 |
| a) | |
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie |
| 19.8 |
| m |
NTC Eigenschaften tf=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
R25 | Nennwiderstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Abweichung von R100 | tc=100 oc,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | Leistung Ablösung |
|
|
| 20.0 | m |
b25/50 | B-Wert | R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
b25/80 | B-Wert | R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
b25/100 | B-Wert | R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modul Eigenschaften tf=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
Ich...c | Streuinduktivität |
| 8 |
| - Nein. |
RCC’+EE’ | ModulleiterwiderstandTerminal an Chip |
| 0.75 |
| mΩ |
△p | △V/△t=10,0dm3- Ich weiß.Min- Ich weiß.tf= 75oc |
| 64 |
| Mbar |
p | Maximaler KühldruckSchönheit |
|
| 2.5 | Bar |
RDie | Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Kühlung Flüssigkeit(proIGBT)Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro D)(in der Regel △V/△t=10,0dm3- Ich weiß.Min- Ich weiß.tf= 75oc |
|
| 0.103 0.140 | K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | n.m. |
G | Gewicht von Modul |
| 750 |
| G |
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