IGBT-Modul, 1200 V 600 A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
Ichc | Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc=100oc | 1000 600 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 1200 | a) |
pd | Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc | 3409 | w |
Diode
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vRRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1200 | v |
Ichf | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 600 | a) |
Ichfm | Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms | 1200 | a) |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | oc |
t- Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | oc |
tstg | LagertemperaturBereich | -40 bis +125 | oc |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 4000 | v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25oc |
| 1.70 | 2.05 |
v |
Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=125oc |
| 1.95 |
| |||
Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=150oc |
| 2.00 |
| |||
vGE(Die) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc= 15,0mA,Vc=VGE, tj=25oc | 5.2 | 6.0 | 6.8 | v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 1.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Nein. |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 1.3 |
| Oh |
c- Nein. | Eingangskapazität | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 62.1 |
| NF |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.74 |
| NF | |
QG | Gate-Ladung | vGE=- 15…+15V |
| 4.62 |
| μC |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
| 257 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 96 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 628 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 103 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 37.5 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 51.5 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω, vGE=±15V, tj=125oc |
| 268 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 107 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 659 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 144 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 53.5 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 77.3 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω, vGE=±15V, tj=150oc |
| 278 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 118 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 680 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 155 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 58.9 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 82.4 |
| m | |
IchSc |
SC-Daten | tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V |
|
2400 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.65 | 2.10 |
v |
Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.65 |
| |||
Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 150oc |
| 1.65 |
| |||
QR | Wiederhergestellte Ladung | vCc=600V,If= 600A, -di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 V,tj=25oc |
| 61.4 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 280 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 20.9 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vCc=600V,If= 600A, -di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 V, tj= 125oc |
| 114 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 415 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 43.1 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vCc=600V,If= 600A, -di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 V, tj= 150oc |
| 128 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 443 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 50.0 |
| m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
Ich...c | Streuinduktivität |
|
| 20 | - Nein. |
RCC’+EE’ | Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip |
| 0.35 |
| mΩ |
RthJC | Junction-to-Case (pro IGBT) Junction-to-Case (pro Diode) |
|
| 0.044 0.077 | K/W |
RthCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
| 0.031 0.055 0.010 |
| K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | n.m. |
G | Gewicht von Modul |
| 300 |
| G |
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