IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

Übergangsspannung des Tor-Emittors

± 20

± 30

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

873

600

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1200

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

2727

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte SpitzenrückwärtsvoltAlter

1200

v

Ichf

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent

600

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1200

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolationsspannung  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25oc

1.75

2.20

v

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=125oc

2.00

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=150oc

2.05

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.7

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

55.9

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.57

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

4.20

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A, RG= 1,5Ω

Ich bin nicht hier.s= 34nH, VGE=±15V,Tj=25oc

109

NS

tR

Aufstiegszeit

62

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

469

NS

tf

Herbstzeit

68

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

42.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

46.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A, RG= 1,5Ω,

Ich...s= 34- Nein.- Ich weiß.- Ich weiß.

vGE=±15V,Tj=125oc

143

NS

tR

Aufstiegszeit

62

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

597

NS

tf

Herbstzeit

107

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

56.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

70.5

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A, RG= 1,5Ω,

Ich...s= 34- Nein.- Ich weiß.- Ich weiß.

 vGE=±15V,Tj=150oc

143

NS

tR

Aufstiegszeit

68

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

637

NS

tf

Herbstzeit

118

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

61.2

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

77.8

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V

2400

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj=25oc

1.95

2.40

v

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 125oc

2.05

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 150oc

2.10

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=- 15 V,Ich...s= 34- Nein.- Ich weiß.tj=25oc

58.9

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

276

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.9

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=- 15 V,Ich...s= 34- Nein.- Ich weiß.tj=125oc

109

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

41.8

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt=4300A/μs,VGE=- 15 V,Ich...s= 34- Nein.- Ich weiß.tj=150oc

124

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

428

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

48.5

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.055

0.089

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro(g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M)(siehe auch

0.032

0.052

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G