IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

GD600HFT170C3S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

950

a)

600

IchCM(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1 ms

1200

a)

Ichf

Diodenkontinuierlicher Vorwärtsstromn

600

a)

Ichfm

Dioden maximale Vorwärtsströmungn

1200

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @tj=175°C

3571

w

tj

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

3400

v

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

n.m.

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(BR) CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1700

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vEG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=24mA,Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=125°C

2.40

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

QG

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

7.0

μC

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 600A, RGon= 2,4Ω,

RGoff=3.0Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

650

NS

tR

Aufstiegszeit

155

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1300

NS

tf

Herbstzeit

180

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

125

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

186

m

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 600A, RGon= 2,4Ω,

RGoff=3.0Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

701

NS

tR

Aufstiegszeit

198

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1590

NS

tf

Herbstzeit

302

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

186

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

219

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

52.8

NF

c- Die

Ausgangskapazität

2.20

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.75

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,

tj=125°C,VCc=1000V, vCEM ≤mit einer Leistung von

2400

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.3

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.18

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=600A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.90

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf= 600A,

vR=900V,

di/dt=-3800A/μs, vGE=-15V

tj=25°C

580

μC

tj=125°C

640

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

160

a)

tj=125°C

258

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

96

m

tj=125°C

171

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro(g)

42

K/kW

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

94

K/kW

RθCS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, pro Modul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

G