IGBT-Modul, 1200 V 450 A
Merkmale
typisch Anwendungen
IGBT-Wechselrichtertc=25°C es sei denn, es ist anders angegeben
Maximale Nennwerte
Symbol | Beschreibung | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | Einheiten |
vCES | Sammler-Emitter Spannung@ Tj=25°C | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
Ichc | Kollektorstrom @ Tc=25°C @ Tc=80°C | 650 450 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 900 | a) |
ptot | Gesamtleistungsschwächung @ Tj=175°C | 2155 | w |
tSc | Kurzschlussfestigkeitszeit @ Tj=150°C | 10 | μs |
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
v(BR)CES | Kollektor-Emitter Abbruchspannung | tj=25°C | 1200 |
|
| v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C |
|
| 5.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C |
|
| 400 | - Nein. |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
vEG (Jahr) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc= 18,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25°C |
| 1.70 | 2.15 |
v |
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=125°C |
| 1.90 |
|
Schaltcharakteristiken
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
vCc=600V,Ic=450A, RG=1,6Ω,VGE=±15 V, tj=25°C |
| 23.0 |
| m |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 31.0 |
| m | |
etot | Gesamtzahl Schaltverlust |
| 54.0 |
| m | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
vCc=600V,Ic=450A, RG=1,6Ω,VGE=±15 V, tj=125°C |
| 36.0 |
| m |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 48.0 |
| m | |
etot | Gesamtzahl Schaltverlust |
| 84.0 |
| m |
t(Das ist ein | Verzögerungszeit der Einleitung | vCc=600V,Ic= 450 A,RG=1,6Ω, vGE=±15 V, tj=25°C |
| 160 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 90 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 500 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 130 |
| NS | |
t(Das ist ein | Verzögerungszeit der Einleitung | vCc=600V,Ic= 450 A,RG=1,6Ω, vGE=±15 V, tj=125°C |
| 170 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 100 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 570 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 160 |
| NS | |
c- Nein. | Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 32.3 |
| NF |
c- Die | Ausgangskapazität |
| 1.69 |
| NF | |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.46 |
| NF | |
IchSc |
SC-Daten | tsc≤10μs,VGE ≤15 V, tj=125°C- Ich weiß. vCc=900V, vCEM ≤1200 V |
|
1800 |
|
a) |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 1.7 |
| Oh |
QG | Gate-Ladung | vGE=-15…+15V |
| 4.3 |
| μC |
Diodenumrichtertc=25°C außer anderenWeise bemerkt
Maximale Nennwerte
Symbol | Beschreibung | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. | Einheiten |
vRRM | Sammler-Emitter Spannung@ Tj=25°C | 1200 | v |
Ichf | Gleichstrom-Vorwärtsstrom @ tc=80°C | 450 | a) |
IchFRM | Wiederholte Spitzenvorwärtsstrom tp=1 ms | 900 | a) |
Ich2t | Ich2t-Wert,VR=0V, tp=10 ms, Tj=125°C | 35000 | a)2s |
Charakteristikwerte
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten | |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf= 450 A, VGE=0V | tj=25°C |
| 1.65 | 2.15 | v |
tj=125°C |
| 1.65 |
| ||||
QR | Wiederhergestellte Ladung |
Ichf= 450 A, vR=600V, mit einer Breite von mehr als 20 mm, vGE=-15V | tj=25°C |
| 45.1 |
| NS |
tj=125°C |
| 84.6 |
| ||||
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom | tj=25°C |
| 316 |
| a) | |
tj=125°C |
| 404 |
| ||||
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie | tj=25°C |
| 21.1 |
| m | |
tj=125°C |
| 38.9 |
| ||||
elektrische Eigenschaften von NTC tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
R25 | Nennwiderstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Abweichung von R100 | tc=100°C,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | Leistungsausfall |
|
|
| 20.0 | m |
b25/50 | B-Wert | R2=R25Ex [B]25/50(1/T2-1/(298.1 5K))] |
| 3375 |
| k |
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
vIso | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min |
| 2500 |
| v |
Ich...c | Streuinduktivität |
| 20 |
| - Nein. |
RCc’+EE’ | ModulanschlusswiderstandC.E., Terminal an Chip. @ Tc=25°C |
| 1.1 |
| mOh |
RθJC | Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(proIGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
| 0.058 0.102 | K/W |
RθCS | Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied) |
| 0.005 |
| K/W |
tj | Maximale Junction-Temperatur |
|
| 150 | °C |
tstg | Lagertemperaturbereich | -40 |
| 125 | °C |
Montage Drehmoment | Leistungsanschluss Schraube: M5 | 3.0 |
| 6.0 | n.m. |
Montage Schraube:M6 | 3.0 |
| 6.0 | n.m. | |
Gewicht | Gewicht von Modul |
| 910 |
| G |
Unser professionelles Verkaufsteam wartet auf Ihre Beratung.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.
EN
