IGBT-Modul, 1200 V 450 A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ± 20 | v |
Ichc | Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc= 100oc | 680 450 | a) |
Ichcm | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 900 | a) |
pd | Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc | 2173 | w |
Diode
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
vRRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1200 | v |
Ichf | Diode kontinuierlich vorwärtsrent | 450 | a) |
Ichfm | Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms | 900 | a) |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
tjmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | oc |
t- Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | oc |
tstg | LagertemperaturBereich | -40 bis +125 | oc |
vIso | Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min | 2500 | v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25oc |
| 1.70 | 2.15 |
v |
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=125oc |
| 1.95 |
| |||
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=150oc |
| 2.00 |
| |||
vGE(Die) | Gate-Emitter-Schwelle Spannung | Ichc= 11.3mA,Vc=VGE- Ich weiß.tj=25oc | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 1.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Nein. |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 0.7 |
| Oh |
c- Nein. | Eingangskapazität | vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
| 46.6 |
| NF |
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 1.31 |
| NF | |
QG | Gate-Ladung | vGE=- 15…+15V |
| 3.50 |
| μC |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1.3Ω, vGE=±15V,tj=25oc |
| 203 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 64 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 491 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 79 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 16.1 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 38.0 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1.3Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
| 235 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 75 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 581 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 109 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 27.8 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 55.5 |
| m | |
td(auf) | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1.3Ω, vGE=±15V, tj= 150oc |
| 235 |
| NS |
tR | Aufstiegszeit |
| 75 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 621 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
| 119 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 30.5 |
| m | |
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 61.5 |
| m | |
IchSc |
SC-Daten | tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V |
|
1800 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.85 | 2.30 |
v |
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.90 |
| |||
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 150oc |
| 1.95 |
| |||
QR | Wiederhergestellte Ladung | vCc=600V,If= 450 A, -di/dt=6600A/μs,VGE=- 15 V,tj=25oc |
| 55.2 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 518 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 26.0 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vCc=600V,If= 450 A, -di/dt=6600A/μs,VGE=- 15 V, tj= 125oc |
| 106 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 633 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 47.5 |
| m | |
QR | Wiederhergestellte Ladung | vCc=600V,If= 450 A, -di/dt=6600A/μs,VGE=- 15 V, tj= 150oc |
| 121 |
| μC |
IchRm | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 661 |
| a) | |
eErklärungen | RückwärtswiederherstellungEnergie |
| 53.9 |
| m |
NTC Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
R25 | Nennwiderstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Abweichung von R100 | tc= 100 oC, R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | Leistung Ablösung |
|
|
| 20.0 | m |
b25/50 | B-Wert | R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
b25/80 | B-Wert | R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
b25/100 | B-Wert | R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheit |
Ich...c | Streuinduktivität |
| 20 |
| - Nein. |
RCC’+EE’ | ModulleiterwiderstandTerminal an Chip |
| 1.10 |
| mΩ |
RthJC | Junction-to-Case (pro IGBT) Junction-to-Case (pro Diode) |
|
| 0.069 0.108 | K/W |
RthCH | Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M)(siehe auch |
| 0.030 0.046 0.009 |
| K/W |
m | Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | n.m. |
G | Gewicht von Modul |
| 350 |
| G |
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