IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die GD400SGL120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

650

a)

400

Ichcm(1)

Pulsierte Kollektorströmn

800

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

800

a)

pd

Maximalleistung Ablösung @ Tj= 175°C

3000

w

tSc

Kurzschluss Widerstandszeit @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tj

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

Ich2t-Wert, Diode

vR=0V, t=10ms, Tj=125°C

27500

a)2s

vIso

Isolationsspannung RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Montage-Torque

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5

n.m.

Montage Schraube:M6

3 zu 6

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

BVCES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm

Leckstrom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm

Schwellenspannung

Ichc=8- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu

Emitter-Sättigung

Spannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C

1.9

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj= 125°C

2.1

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,

RG=4Ω, VGE = ±15 V,

100

NS

tR

Aufstiegszeit

60

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

tj=25°C

420

NS

tf

Herbstzeit

vCc=600V,Ic= 400A,

RG=4Ω, VGE = ±15 V,

tj=25°C

60

NS

eauf

Einschalten

Schaltverlust

33

m

eaus

Umschalten- Ich weiß.aus

Schaltverlust

42

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,

RG=4Ω, VGE = ±15 V,

tj= 125°C

120

NS

tR

Aufstiegszeit

60

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

490

NS

tf

Herbstzeit

75

NS

eauf

Einschalten

Schaltverlust

35

m

eaus

Umschalten- Ich weiß.aus

Schaltverlust

46

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc =25V, f=1MHz,

vGE =0V

30

NF

c- Die

Ausgangskapazität

4

NF

cAufnahme

Rückwärts

Transferkapazität

3

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C, VCc=900V,

vCEM≤1200 V

1900

a)

RGint

Interner Gate

Widerstand

0.5

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE ’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.18

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A

tj=25°C

2.1

2.2

v

tj= 125°C

2.2

2.3

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

Ichf= 400A,

vR=600V,

di/dt=-4000A/μs, vGE=- 15 V

tj=25°C

40

μC

tj= 125°C

48

IchRm

Diode Spitze

Umgekehrte Wiederherstellung Strom

tj=25°C

320

a)

tj= 125°C

400

eErklärungen

Umgekehrte Wiederherstellung Energie

tj=25°C

12

m

tj= 125°C

20

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, per Modul)

0.05

K/W

RθJC

Junction-to-Case (DIODE-Teil, pro Modul)

0.09

K/W

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

G