IGBT-Modul, 1200 V 400 A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolute maximale Bewertungentc=25°C sofern nicht anders angegebented
Symbol | Beschreibung | GD400SGK120C2S | Einheiten | |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v | |
Symbol | Beschreibung | GD400SGK120C2S | Einheiten | |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 V | v | |
Ichc | Kollektorstrom @ Tc=25°C @ Tc=80°C | 550 | a) | |
400 | ||||
IchCM(1) | Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms | 800 | a) | |
Ichf | Diodenkontinuierlicher Vorwärtsstromn | 400 | a) | |
Ichfm | Dioden maximale Vorwärtsströmungn | 800 | a) | |
pd | Maximalleistungtj=150°C | 2500 | w | |
tSc | Kurzschluss Widerstandszeit @ Tj= 125°C | 10 | μs | |
tj | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | °C | |
tstg | Lagertemperaturbereich | -40 bis +125 | °C | |
Ich2t-Wert, Diode | vR=0V, t=10ms, Tj=125°C | 27500 | a)2s | |
vIso | Isolierungspannung RMS, f=50Hz, t=1min | 2500 | v | |
Montage Drehmoment | Leistungsanschluss Schraube:M4 Leistungsanschluss Schraube:M6 | 1.1 bis 2.0 2,5 bis 5.0 | n.m. | |
Montage Schraube:M6 | 3,0 bis 6.0 | n.m. |
Elektrische Eigenschaften von - Ich weiß.tc=25°C es sei denn, es ist anders angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
BVCES | Kollektor-Emitter Abbruchspannung | tj=25°C | 1200 |
|
| v |
IchCES | Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom | vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C |
|
| 5.0 | - Ich weiß. |
IchGES | Gate-Emitter-Leckstrom Strom | vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C |
|
| 400 | - Nein. |
Einschaltmerkmale
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
vEG (Jahr) | Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm Schwellenspannung | Ichc= 5,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C | 4.5 | 5.1 | 5.5 | v |
vCE(sat) | Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | Ichc=400A,VGE= 15V,Tj=25°C |
| 2.2 |
|
v |
Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C |
| 2.5 |
|
Schaltcharakteristiken
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten | |
t(Das ist ein | Verzögerungszeit der Einleitung | vCc=600V,Ic= 400A, |
| 258 |
| NS | |
tR | Aufstiegszeit | RG= 3,3Ω, VGE =±15 V, |
| 110 |
| NS | |
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit | tj= 25°C |
| 285 |
| NS | |
tf | Herbstzeit |
vCc=600V,Ic= 400A, RG= 3,3Ω, VGE =±15 V, tj= 25°C |
| 70 |
| NS | |
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 45 |
| m | ||
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 26 |
| m | ||
t(Das ist ein | Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A, RG= 3,3Ω, VGE =±15 V, tj= 125°C |
| 260 |
| NS | |
tR | Aufstiegszeit |
| 120 |
| NS | ||
td(aus) | Ausschalten Verzögerungszeit |
| 300 |
| NS | ||
tf | Herbstzeit |
| 80 |
| NS | ||
eauf | Einschalten Wechseln Verlust |
| 60 |
| m | ||
eaus | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 40 |
| m | ||
c- Nein. | Eingangskapazität |
vc =25V, f=1,0MHz, vGE =0V |
| 74.7 |
| NF | |
c- Die | Ausgangskapazität |
| 3.3 |
| NF | ||
cAufnahme | Rückübertragungs- Kapazität |
| 0.64 |
| NF | ||
IchSc |
SC-Daten | tsc≤10 μs, VGE=15V, tj=125°C, VCc=900V, vCEM ≤1200 V |
|
2400 |
|
a) | |
Ich...c | Streuinduktivität |
|
| 16 |
| - Nein. | |
RCc’+EE’ | Modul Blei Widerstand, Endstation zu Splitter |
tc=25°C |
|
0.50 |
|
mOh |
elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten | |
vf | Diodenvorwärts Spannung | Ichf=400A | tj=25°C |
| 2.0 | 2.3 | v |
tj=125°C |
| 2.2 | 2.5 | ||||
QR | Diode Rückwärts Einziehungsgebühr |
Ichf= 400A, vR=600V, die in Anhang I Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Nummer 1 der Regelung für die Verwendung von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugverbindungsbereich von mehr als 20 cm2 bestimmt ist, vGE=-15V | tj=25°C |
| 31 |
| μC |
tj=125°C |
| 66 |
| ||||
IchRm | Diode Spitze Umgekehrte Wiederherstellung Strom | tj=25°C |
| 300 |
|
a) | |
tj=125°C |
| 410 |
| ||||
eErklärungen | Rückwärtswiederherstellung Energie | tj=25°C |
| 12 |
| m | |
tj=125°C |
| 28 |
|
Thermische Eigenschaften
Symbol | Parameter | - Das ist typisch. | - Maximal. | Einheiten |
RθJC | Verbindung zum Gehäuse (IGBT-Teil, pro 1/2 Modul) |
| 0.05 | K/W |
RθJC | Verbindung zum Gehäuse (DIODE-Teil, pro 1/2 Modul) |
| 0.08 | K/W |
RθCS | Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied) | 0.035 |
| K/W |
Gewicht | Gewicht von Modul | 340 |
| G |
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