IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

648

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Energieverteilung- Das ist nicht wahr.t =175oc

2380

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc

1.85

2.20

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125oc

2.25

Ichc=400A,VGE=15V, tj=150oc

2.35

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.88

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

48.2

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.17

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15V...+15V

3.77

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,- Das ist nicht wahr.RG=0.82Ω,VGE=±15V, tj=25oc

204

NS

tR

Aufstiegszeit

38

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

425

NS

tf

Herbstzeit

113

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

97.9

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

84.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,- Das ist nicht wahr.RG=0.82Ω,VGE=±15V, tj=125oc

208

NS

tR

Aufstiegszeit

50

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

528

NS

tf

Herbstzeit

184

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

141

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

132

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,- Das ist nicht wahr.RG=0.82Ω,VGE=±15V, tj=150oc

216

NS

tR

Aufstiegszeit

50

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

544

NS

tf

Herbstzeit

204

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

161

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

137

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc= 100V,vCEM≤1700V

1600

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=125oc

1.90

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=150oc

1.95

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If= 400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

116

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

666

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

63.8

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If= 400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE=- 15 Vtj=125oc

187

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

662

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

114

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If= 400A,

-di/dt=8800A/μs,VGE=- 15 Vtj=150oc

209

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

640

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

132

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.063

0.105

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.032

0.053

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G