IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

595

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1 ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

1875

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE= 15 V,tj=25oc

1.75

2.20

v

Ichc=400A,VGE= 15 V,tj=125oc

2.00

Ichc=400A,VGE= 15 V,tj=150oc

2.05

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 10.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

37.3

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.04

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

2.80

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

205

NS

tR

Aufstiegszeit

77

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

597

NS

tf

Herbstzeit

98

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

18.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

32.3

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

214

NS

tR

Aufstiegszeit

86

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

626

NS

tf

Herbstzeit

137

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

28.4

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.9

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

198

NS

tR

Aufstiegszeit

94

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

646

NS

tf

Herbstzeit

147

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

30.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

53.8

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE= 15 V,

tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

1440

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.75

2.15

v

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.65

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

40

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

299

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

20.0

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc

70

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

38.4

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=5000A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc

80

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

419

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

43.9

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

15

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip

0.25

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.080

0.095

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.037

0.044

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G