IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

660

400

a)

Ichcm(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

800

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

a)

Ichfm(1)

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

800

a)

pd

Maximalleistung Ablösung @ Tj= 150°C

2660

w

tSc

Kurzschluss Widerstandszeit @ Tj=125°C

10

μs

tj

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage-Torque

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5.0

n.m.

Montage Schraube:M6

3,0 bis 6.0

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=4,0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

4.4

4.9

6.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C

3.10

3.60

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj= 125°C

3.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=400A,   RG= 2,2Ω,VGE=±15 v,tj=25°C

680

NS

tR

Aufstiegszeit

142

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

638

NS

tf

Herbstzeit

99

NS

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

19.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

32.5

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=400A,   RG= 2,2Ω,VGE=±15 v, tj= 125°C

690

NS

tR

Aufstiegszeit

146

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

669

NS

tf

Herbstzeit

108

NS

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

26.1

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

36.7

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=30V, f=1MHz,

vGE=0V

33.7

NF

c- Die

Ausgangskapazität

2.99

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.21

NF

IchSc

SC-Daten

tp ≤10μs,VGE=15 v, tj=25°C- Ich weiß.

vCc=600V, vCEM≤1200 V

2600

a)

RGint

Interne Gate-Widerstandstance

0.5

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

18

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstandc) Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.32

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A

tj=25°C

1.95

2.35

v

tj= 125°C

1.85

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf= 400A,

vR= 600 v,

mit einer Breite von mehr als 20 mm, vGE=- 15 V

tj=25°C

24.1

μC

tj= 125°C

44.3

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

220

a)

tj= 125°C

295

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

13.9

m

tj= 125°C

24.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Verbindungen zu Fällen (pro IG)BT)

0.047

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.096

K/W

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.035

K/W

G

Gewicht von Modul

350

G